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1. (WO2016099772) DYNAMIC HEATING METHOD AND SYSTEM FOR WAFER PROCESSING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/099772    International Application No.:    PCT/US2015/061298
Publication Date: 23.06.2016 International Filing Date: 18.11.2015
IPC:
H01L 21/324 (2006.01)
Applicants: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, Massachusetts 01930 (US)
Inventors: EVANS, Morgan D.; (US).
ANGLIN, Kevin; (US).
LISCHER, D. Jeffrey; (US).
WEAVER, William T.; (US).
SCHALLER, Jason M.; (US).
VOPAT, Robert Brent; (US)
Agent: FRAME, Robert C.; Nields, Lemack & Frame, LLC 176 E. Main Street, Suite 5 Westboro, Massachusetts 01581 (US)
Priority Data:
14/575,591 18.12.2014 US
Title (EN) DYNAMIC HEATING METHOD AND SYSTEM FOR WAFER PROCESSING
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME DE CHAUFFAGE DYNAMIQUE POUR TRAITEMENT DE PLAQUETTES
Abstract: front page image
(EN)A system and method for dynamic heating of a workpiece during processing is disclosed. The system includes an ion source and a plurality of LEDs arranged in an array, which are directed at a portion of the surface of the workpiece. The LEDs are selected so that they emit light in a frequency range that is readily absorbed by the workpiece, thus heating the workpiece. In some embodiments, the LEDs heat a portion of the workpiece just before that portion is processed by an ion beam. In another embodiment, the LEDs heat a portion of the workpiece as it is being processed. The LEDs may be arranged in an array, which may have a width that is at least as wide as the width of the ion beam. The array also has a length, perpendicular to its width, having one or more rows of LEDs.
(FR)La présente invention concerne un système et un procédé pour le chauffage dynamique d'une pièce à usiner pendant un traitement. Le système comprend une source d'ions et une pluralité de DEL disposées dans un réseau, qui sont dirigées vers une partie de la surface de la pièce à usiner. Les DEL sont sélectionnées de manière à émettre de la lumière dans une gamme de fréquences qui est facilement absorbée par la pièce à usiner, chauffant ainsi la pièce à usiner. Dans certains modes de réalisation, les DEL chauffent une partie de la pièce à usiner juste avant le traitement de cette partie par un faisceau d'ions. Dans un autre mode de réalisation, les DEL chauffent une partie de la pièce à usiner au cours dudit traitement. Les DEL peuvent être disposées dans un réseau, qui peut avoir une largeur qui est au moins aussi large que la largeur du faisceau d'ions. Le réseau a également une longueur, perpendiculaire à sa largeur, comportant une ou plusieurs rangées de DEL.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)