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1. (WO2016099648) MAGNETIC READ HEAD WITH MAGNETORESISTIVE (MR) ENHANCEMENTS TOWARD LOW RESISTANCE X AREA (RA) PRODUCT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/099648    International Application No.:    PCT/US2015/056312
Publication Date: 23.06.2016 International Filing Date: 20.10.2015
IPC:
G11B 5/39 (2006.01), G01R 33/09 (2006.01), H01F 10/32 (2006.01)
Applicants: HEADWAY TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 678 South Hillview Drive Milpitas, CA 95035 (US)
Inventors: ZHANG, Kunliang; (US).
WANG, Hui-chuan; (US).
QUAN, JunJie; (US).
LI, Min; (US)
Agent: SAILE ACKERMAN LLC; Stephen B. Ackerman 28 Davis Avenue Poughkeepsie, NY 12603 (US)
Priority Data:
14/577,470 19.12.2014 US
Title (EN) MAGNETIC READ HEAD WITH MAGNETORESISTIVE (MR) ENHANCEMENTS TOWARD LOW RESISTANCE X AREA (RA) PRODUCT
(FR) TÊTE DE LECTURE MAGNÉTIQUE PRÉSENTANT DES AMÉLIORATIONS MAGNÉTORÉSISTANTES (MR) VERS UN FAIBLE PRODUIT DE RÉSISTANCE X ZONE (RA)
Abstract: front page image
(EN)A method of forming a magnetoresistive (MR) sensor with a composite tunnel barrier comprised primarily of magnesium oxynitride and having a MR ratio of at least 70%, resistance x area (RA) product < 1 ohm-nm2, and fewer pinholes than a conventional MgO layer is disclosed. The method involves forming a Mg/MgON/Mg, Mg/MgON/MgN, MgN/MgON/MgN, or MgN/MgON/Mg intermediate tunnel barrier stack and then annealing to drive loosely bound oxygen into adjacent layers thereby forming MgO/MgON/Mg, MgO/MgON/MgON, MgON/MgON/MgON, and MgON/MgON/MgO composite tunnel barriers, respectively, wherein oxygen content in the middle MgON layer is greater than in upper and lower MgON layers. The MgON layer in the intermediate tunnel barrier may be formed by a sputtering process followed by a natural oxidation step and has a thickness greater than the Mg and MgN layers.
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation d'un capteur magnétorésistant (MR) ayant une barrière tunnel composite composée principalement d'oxynitrure de magnésium et présentant un rapport MR d'au moins 70%, un produit de résistance x zone (RA) < 1 ohm-nm2, et moins de piqûres qu'une couche de MgO classique. Le procédé consiste à former un empilement de barrières tunnel intermédiaire Mg/MgON/Mg, Mg/MgON/MgN, MgN/MgON/MgN ou MgN/MgON/Mg et ensuite à recuire pour amener l'oxygène lié de manière lâche dans des couches adjacentes, formant ainsi des barrières tunnel composites MgO/MgON/Mg, MgO/MgON/MgON, MgON/MgON/MgON et MgON/MgON/MgO, respectivement, la teneur en oxygène dans la couche médiane de MgON étant plus élevée que dans les couches supérieure et inférieure de MgON. La couche de MgON dans la barrière tunnel intermédiaire peut être formée par un processus de pulvérisation suivi par une étape d'oxydation naturelle et présente une épaisseur supérieure aux couches de Mg et MgN.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)