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1. (WO2016099061) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/099061    International Application No.:    PCT/KR2015/013270
Publication Date: 23.06.2016 International Filing Date: 04.12.2015
IPC:
H01L 33/38 (2010.01)
Applicants: SEOUL VIOSYS CO., LTD. [KR/KR]; 1B-36, 65-16, Sandan-ro 163beon-gil, Danwon-gu Ansan-si Gyeonggi-do 15429 (KR)
Inventors: LEE, Mi-Hee; (KR).
LEE, Jun-Hee; (KR).
LEE, So-Ra; (KR).
JANG, Mi-Na; (KR)
Agent: AIP PATENT & LAW FIRM; 30-1, Teheran-ro 14-gil, Gangnam-gu Seoul 06239 (KR)
Priority Data:
10-2014-0184609 19.12.2014 KR
10-2015-0014371 29.01.2015 KR
10-2015-0032410 09.03.2015 KR
10-2015-0033444 10.03.2015 KR
Title (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abstract: front page image
(EN)A nitride semiconductor light emitting device may include: a first conductive type nitride semiconductor layer; an active layer formed under the first conductive type nitride semiconductor layer; a second conductive type nitride semiconductor layer formed under the active layer; mesa regions formed upward from the second conductive type nitride semiconductor layer so as to expose the first conductive type nitride semiconductor layer; a second electrode formed under the second conductive type nitride semiconductor layer; a cover metal layer formed at a corner under the second conductive type nitride semiconductor layer so as to overlap a part of the second electrode, and partially exposed in the upward direction; an insulating layer formed under the cover metal layer, the second electrode, and the mesa regions; openings of the insulating layer, formed at portions corresponding to the mesa regions so as to expose the first conductive type nitride semiconductor layer; a first electrode formed under the insulating layer and in the openings; a conductive substrate formed under the first electrode; and a second electrode pad formed over the exposed cover metal layer, wherein when the width of the second electrode between one mesa region of the mesa regions and another mesa region adjacent to the mesa region is represented by a and the width of the second electrode between a mesa region at the edge and an extension line of the cover metal layer at the corner is represented by b, a relation of a>b is established.
(FR)La présente invention porte sur un dispositif électroluminescent à semi-conducteurs au nitrure qui peut comprendre : une couche de semi-conducteur au nitrure de premier type de conductivité ; une couche active formée sous la couche de semi-conducteur au nitrure de premier type de conductivité ; une couche de semi-conducteur au nitrure de second type de conductivité formée sous la couche active ; des régions mesa formées vers le haut depuis la couche de semi-conducteur au nitrure de second type de conductivité de manière à découvrir la couche de semi-conducteur au nitrure de premier type de conductivité ; une seconde électrode formée sous la couche de semi-conducteur au nitrure de second type de conductivité ; une couche métallique de recouvrement formée au niveau d'un coin sous la couche de semi-conducteur au nitrure de second type de conductivité de manière à chevaucher une partie de la seconde électrode, et partiellement découverte dans la direction vers le haut ; une couche isolante formée sous la couche métallique de recouvrement, la seconde électrode, et les régions mesa ; des ouvertures de la couche isolante, formées au niveau de parties correspondant aux régions mesa de manière à découvrir la couche de semi-conducteur au nitrure de premier type de conductivité ; une première électrode formée sous la couche isolante et dans les ouvertures ; un substrat conducteur formé sous la première électrode ; et une seconde plage d'électrode formée sur la couche métallique de recouvrement découverte, lorsque la largeur de la seconde électrode entre une région mesa des régions mesa et une autre région mesa adjacente à la région mesa est représentée par a et la largeur de la seconde électrode entre une région mesa au niveau du bord et une ligne d'extension de la couche métallique de recouvrement au niveau du coin est représentée par b, une relation de a > b étant établie.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)