WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Machine translation
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/098795    International Application No.:    PCT/JP2015/085155
Publication Date: 23.06.2016 International Filing Date: 16.12.2015
G01N 23/04 (2006.01), G01N 23/083 (2006.01), G01N 23/18 (2006.01), G01B 15/00 (2006.01), G01B 15/08 (2006.01)
Applicants: HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717 (JP)
Inventors: NAKAO Toshiyuki; (JP).
URANO Yuta; (JP).
ZHANG Kaifeng; (JP).
SASAZAWA Hideaki; (JP)
Agent: SEIRYO I.P.C.; 24-2, Hatchobori 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040032 (JP)
Priority Data:
2014-257691 19.12.2014 JP
(JA) X線検査方法及び装置
Abstract: front page image
(EN)In this method, in order to detect internal defects with high accuracy and without causing the overlapping of adjacent TSV transmission images when inspecting, using an X-ray transmission image, internal defects in a TSV formed in a semiconductor wafer, defects inside a TSV formed on a sample are detected by irradiating the sample with X-rays emitted from an X-ray source, detecting the X-rays, and processing an X-ray transmission image. Therein, the detection, using an X-ray detector, of X-rays transmitted through the sample is configured such that: the detection azimuth of the X-rays, which are transmitted through the sample and detected by the X-ray detector, relative to the sample, and the detection elevation angle of the X-rays relative to the X-ray source are determined on the basis of information on the arrangement interval, depth, and planar shape of structures formed in the sample; the angle of rotation of a rotating stage on which the sample is mounted is adjusted in accordance with the detection azimuth which has been determined; and the X-rays that have been transmitted through the sample are detected with the position of the detector set to the detection elevation angle which has been determined.
(FR)L'invention concerne un procédé dans lequel, afin de détecter des défauts internes avec une grande précision et sans provoquer le chevauchement d'images de transmission de trous d'interconnexion (TSV) adjacents lors du contrôle, à l'aide d'une image de transmission par rayons X, de défauts internes dans un TSV formé dans une tranche de semi-conducteur, les défauts à l'intérieur d'un TSV formé sur un échantillon sont détectés par exposition de l'échantillon à des rayons X émis par une source de rayons X, détection des rayons X et traitement d'une image de transmission par rayons X. Dans le procédé, la détection, à l'aide d'un détecteur de rayons X, de rayons X transmis à travers l'échantillon est conçue de façon telle que : l'azimut de détection des rayons X, qui sont transmis à travers l'échantillon et détectés par le détecteur de rayons X, par rapport à l'échantillon et l'angle d'élévation de détection des rayons X par rapport à la source de rayons X sont déterminés sur la base d'informations sur l'intervalle d'agencement, la profondeur et la forme plane de structures formées dans l'échantillon ; l'angle de rotation d'un plateau rotatif sur lequel l'échantillon est monté est réglé en fonction de l'azimut de détection qui a été déterminé ; et les rayons X qui ont été transmis à travers l'échantillon sont détectés, la position du détecteur étant réglée à l'angle d'élévation de détection qui a été déterminé.
(JA) 半導体ウエハに形成されたTSVの内部欠陥をX線透過像で検査する際、隣接するTSVの透過像の重なりを発生させず、内部欠陥を高精度に検出するために、X線源から発射したX線を試料に照射して検出しX線透過像を処理して試料に形成されたTSVの内部の欠陥を検出する方法において、試料を透過したX線をX線検出器で検出することを、試料に形成された構造物の配列間隔、深さ、及び平面形状の情報に基づいてX線検出器で検出する試料を透過したX線の試料に対する検出方位角及びX線源に対する検出仰角を決定し、決定した検出方位角に応じて試料を載置する回転ステージの回転角度を調整し、決定した検出仰角に検出器の位置を設定した状態で試料を透過したX線を検出するようにした。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)