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1. (WO2016098723) CIRCUIT SUBSTRATE AND ELECTRONIC DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/098723    International Application No.:    PCT/JP2015/084921
Publication Date: 23.06.2016 International Filing Date: 14.12.2015
IPC:
H01L 23/12 (2006.01), H01L 23/13 (2006.01), H01L 23/373 (2006.01), H05K 1/02 (2006.01)
Applicants: KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP)
Inventors: KOORIYAMA,Shinichi; (JP).
OGAWA,Narutoshi; (JP).
KONAGAI,Masashi; (JP).
OCHIAI,Kensou; (JP).
NIINO,Noritaka; (JP)
Priority Data:
2014-254180 16.12.2014 JP
Title (EN) CIRCUIT SUBSTRATE AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) SUBSTRAT DE CIRCUIT ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 回路基板および電子装置
Abstract: front page image
(EN)A circuit substrate (1) includes an insulating substrate (2), metal circuit plates (3) that are joined to one main surface of the insulating substrate (2), and a metal heat dissipation plate (4) that is joined to a main surface which is on the side opposite the one main surface of the insulating substrate (2). The thickness of the heat dissipation plate (4) is at least 3.75 times the thickness of the metal circuit plates (3). The particle diameter of metal particles contained in the heat dissipation plate (4): is smaller than the particle diameter of the metal particles contained in the metal circuit plate (3); and becomes smaller the greater the distance from the opposite-side main surface of the insulating substrate (2).
(FR)La présente invention porte sur un substrat de circuit (1) qui comprend un substrat isolant (2), des plaques de circuit en métal (3) qui sont jointes à une surface principale du substrat isolant (2), et une plaque de dissipation de chaleur en métal (4) qui est jointe à une surface principale qui est sur le côté opposé à la surface principale du substrat isolant (2). L'épaisseur de la plaque de dissipation de chaleur (4) est d'au moins 3,75 fois l'épaisseur des plaques de circuit en métal (3). Le diamètre de particule des particules métalliques contenues dans la plaque de dissipation de chaleur (4) : est plus petit que le diamètre de particule des particules métalliques contenues dans la plaque de circuit en métal (3) ; et devient plus petit plus la distance est grande depuis la surface principale côté opposé du substrat isolant (2).
(JA) 回路基板(1)は、絶縁基板(2)と、絶縁基板(2)の一方の主面に接合された金属回路板(3)と、絶縁基板(2)の一方の主面とは反対側の主面に接合された金属製の放熱板(4)とを有し、放熱板(4)の厚みが金属回路板(3)の厚みの3.75倍以上であり、放熱板(4)に含有されている金属粒子の粒径が、金属回路板(3)に含有されている金属粒子の粒径より小さく、絶縁基板(2)の反対側の主面からの距離が大きいほど小さくなっている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)