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1. (WO2016098661) VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND VAPOR DEPOSITION METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/098661    International Application No.:    PCT/JP2015/084528
Publication Date: 23.06.2016 International Filing Date: 09.12.2015
IPC:
H01L 21/31 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), C30B 25/14 (2006.01), C30B 29/38 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Applicants: NUFLARE TECHNOLOGY, INC. [JP/JP]; 8-1, Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2358522 (JP)
Inventors: TAKAHASHI, Hideshi; (JP).
SATO, Yuusuke; (JP)
Agent: IKEGAMI, Tetsuma; (JP)
Priority Data:
2014-254658 17.12.2014 JP
Title (EN) VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND VAPOR DEPOSITION METHOD
(FR) APPAREIL DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
(JA) 気相成長装置及び気相成長方法
Abstract: front page image
(EN)This vapor deposition apparatus is provided with: a reaction chamber; a support unit which is provided in the reaction chamber and on which a substrate can be mounted; a first gas supply path which supplies a first gas containing ammonia; a second gas supply path which supplies a second gas that contains an organic metal gas; a purge gas supply path which supplies a purge gas that contains ammonia and at least one species selected from nitrogen, hydrogen and an inactive gas; and a shower plate which has a first region connected to the first gas supply path and the second gas supply path and having a process gas injection hole for supplying the first gas and the second gas into the reaction chamber, and a second region disposed in the outer periphery of the first region and comprising a purge gas injection hole that is connected to the purge gas supply path and supplies the purge gas into the reaction chamber.
(FR)L'invention concerne un appareil de dépôt en phase vapeur qui comprend : une chambre de réaction ; une unité de support qui est disposée dans la chambre de réaction et sur laquelle un substrat peut être monté ; un premier trajet d'alimentation en gaz qui fournit un premier gaz contenant de l'ammoniac ; un second trajet d'alimentation en gaz qui fournit un second gaz qui contient un gaz métallo-organique ; un trajet d'alimentation en gaz de purge qui fournit un gaz de purge qui contient de l'ammoniac et au moins une espèce choisie parmi l'azote, l'hydrogène et un gaz inactif ; et une plaque d'arrosage qui comporte une première région raccordée au premier trajet d'alimentation en gaz et au second trajet d'alimentation en gaz et comporte un trou d'injection de gaz de traitement destiné à fournir le premier gaz et le second gaz dans la chambre de réaction, et une seconde région disposée dans la périphérie externe de la première région et comprenant un trou d'injection de gaz de purge qui est raccordé au trajet d'alimentation en gaz de purge et fournit le gaz de purge dans la chambre de réaction.
(JA) 反応室と、反応室内に設けられ、基板を載置可能な支持部と、アンモニアを含む第1のガスを供給する第1のガス供給路と、有機金属ガスを含む第2のガスを供給する第2のガス供給路と、窒素、水素及び不活性ガスから選ばれる少なくとも1種と、アンモニアと、を含むパージガスを供給するパージガス供給路と、第1のガス供給路及び第2のガス供給路と接続され反応室内に第1のガス及び第2のガスを供給するプロセスガス噴出孔を有する第1の領域と、第1の領域の外周に設けられパージガス供給路に接続され反応室内にパージガスを供給するパージガス噴出孔を有する第2の領域と、を有するシャワープレートと、を備える。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)