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1. (WO2016098624) SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT, IMAGE PICKUP DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/098624    International Application No.:    PCT/JP2015/084253
Publication Date: 23.06.2016 International Filing Date: 07.12.2015
IPC:
H01L 27/146 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01), H04N 5/355 (2011.01), H04N 5/369 (2011.01), H04N 5/374 (2011.01)
Applicants: SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
Inventors: MACHIDA Takashi; (JP).
YAMASHITA Kazuyoshi; (JP)
Agent: NISHIKAWA Takashi; (JP)
Priority Data:
2014-256046 18.12.2014 JP
Title (EN) SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT, IMAGE PICKUP DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) ÉLÉMENT D'ANALYSEUR D'IMAGES À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF D'ANALYSEUR D'IMAGES, ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像素子、撮像装置、および電子機器
Abstract: front page image
(EN)The technology of the present invention pertains to a solid state image pickup element, an image pickup device, and an electronic apparatus that enable floating diffusion (FD) conversion efficiency to be switched for all pixels of a solid-state image pickup element. A photodiode carries out photoelectric conversion of incident light. A floating diffusion (FD) accumulates charges obtained by the photodiode. An FD 2, which is a second FD to which the capacitance of an additional capacitance unit MIM is added, adds capacitance to the FD. The additional capacitance unit MIM is formed from a first electrode comprising a wiring layer in which wiring that is electrically connected to the terminal of the FD and of the second FD is formed, and a second electrode comprising a metal light-blocking film that is disposed on a surface that is of a substrate on which is formed the photodiode and that is near a light-source of light, and is disposed closer to the substrate than the wiring layer and so as to be facing the wiring layer. By switching the FD and FD+FD2, it becomes possible to switch FD conversion efficiency. The technology of the present invention can be applied to a CMOS image sensor.
(FR)La technologie de la présente invention se rapporte à un élément d'analyseur d'images à semi-conducteur, à un dispositif d'analyseur d'images, et à un appareil électronique qui permettent de commuter un rendement de conversion de diffusion flottante (FD) pour tous les pixels d'un élément d'analyseur d'images à semi-conducteur. Une photodiode effectue une conversion photoélectrique de la lumière incidente. Une diffusion flottante (FD) accumule les charges obtenues par la photodiode. Une FD (2), qui est une seconde FD à laquelle est ajoutée la capacité d'une unité de capacité supplémentaire (MIM), ajoute de la capacité à la FD. L'unité de capacité supplémentaire (MIM) est constituée d'une première électrode comprenant une couche de câblage dans laquelle est formé un câblage qui est électriquement connecté à la borne de la FD et de la seconde FD, et d'une seconde électrode comprenant un film métallique de blocage de la lumière qui est disposé sur une surface qui appartient à un substrat sur lequel est formée la photodiode et qui se trouve à proximité d'une source de lumière émettant de la lumière, et qui est disposé plus près du substrat que la couche de câblage et de manière à être en regard de la couche de câblage. Par commutation de la FD et de la FD + FD (2), il devient possible de commuter le rendement de conversion de FD. La technologie de la présente invention peut s’appliquer à un capteur d'image CMOS.
(JA) 本技術は、固体撮像素子の全画素でFD変換効率を切り替えることができるようにする固体撮像素子、撮像装置、および電子機器に関する。 フォトダイオードが入射した光を光電変換する。フローティングディフュージョン(FD)がフォトダイオードにより得られた電荷を蓄積する。付加容量部MIMの容量が付加された第2のFDであるFD2が、FDに容量を付加する。この付加容量部MIMは、FD、および第2のFDの端子へと電気的に接続される配線が形成される配線層からなる第1電極と、フォトダイオードが形成される基板における光の光源に近い面上であって、配線層よりも基板に近く、配線層に対向して設けられた金属製の遮光膜からなる第2電極とから形成される。このFDと、FD+FD2とを切り替えることで、FD変換効率を切り換えることが可能となる。本技術は、CMOSイメージセンサに適用することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)