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1. (WO2016098594) SEMICONDUCTOR DEVICE, SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, IMAGING DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/098594    International Application No.:    PCT/JP2015/083898
Publication Date: 23.06.2016 International Filing Date: 02.12.2015
IPC:
H01L 27/14 (2006.01)
Applicants: SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
Inventors: WAKIYAMA Satoru; (JP)
Agent: NISHIKAWA Takashi; (JP)
Priority Data:
2014-254158 16.12.2014 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, IMAGING DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF D'IMAGERIE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置、固体撮像素子、撮像装置、および電子機器
Abstract: front page image
(EN)This technology pertains to: a semiconductor device capable of preventing the occurrence of flaring and interference caused by a bonding jig, improving impedance properties, and reducing device size; a solid-state imaging element; an imaging device; and an electronic device. By aligning the heights of cover glass and a semiconductor element and minimizing the distance between the cover glass and the semiconductor element, it is possible to suppress the occurrence of flaring caused by incident light reflected by a lateral surface of the semiconductor element, and to improve impedance properties between the semiconductor element and a semiconductor imaging element. In addition, it is possible to reduce interference from a jig used in the semiconductor element. This technology is applicable to CMOS image sensors.
(FR)La présente invention porte sur : un dispositif à semi-conducteur permettant de prévenir la survenue d'un évasement et un parasitage causé par un gabarit d'assemblage, d'améliorer des propriétés d'impédance, et de réduire la taille du dispositif ; un élément d'imagerie à semi-conducteur ; un dispositif d'imagerie ; et un dispositif électronique. Par alignement des hauteurs d'un verre de recouvrement et d'un élément à semi-conducteur et réduction au minimum de la distance entre le verre de recouvrement et l'élément à semi-conducteur, il est possible de supprimer la survenue d'un évasement causé par une réflexion de la lumière incidente par une surface latérale de l'élément à semi-conducteur, et d'améliorer les propriétés d'impédance entre l'élément à semi-conducteur et un élément d'imagerie à semi-conducteurs. En outre, il est possible de réduire le parasitage par un gabarit utilisé dans l'élément à semi-conducteur. La présente invention est applicable à des capteurs d'image CMOS.
(JA) 本技術は、フレアの発生と、ボンディング治具による干渉を防止しつつ、インピーダンス特性を向上させ、装置の小型化を図ることができるようにする半導体装置、固体撮像素子、撮像装置、および電子機器に関する。 カバーガラスと半導体素子との高さを揃えることにより、カバーガラスと半導体素子との距離を最短にすることで、半導体素子の側面に反射して入射する光により生じるフレアの発生を抑制すると共に、半導体素子と半導体撮像素子とのインピーダンス特性を改善させることができる。また、半導体素子に使用する治具の干渉を低減する。本技術は、CMOSイメージセンサに適用することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)