WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2016098510) EPITAXIAL WAFER MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/098510    International Application No.:    PCT/JP2015/082216
Publication Date: 23.06.2016 International Filing Date: 17.11.2015
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/52 (2006.01), C30B 25/12 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01)
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventors: HARIYA, Hideki; (JP)
Agent: HARIKAWA, Takashi; (JP)
Priority Data:
2014-257863 19.12.2014 JP
Title (EN) EPITAXIAL WAFER MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PLAQUETTE ÉPITAXIALE
(JA) エピタキシャルウェーハの製造方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is an epitaxial wafer manufacturing method in which an epitaxial layer is grown by a vapor-phase process on a wafer W disposed on a susceptor 3 in a state in which the upper surface 4b1 of a lift pin inserted in a through hole H in the susceptor 3 is retracted or protruded relative to the opening H1a on the upper side of the through hole H so as to form a height difference D. The height difference D from the upper surface 4b1 of the lift pin 4 to the opening H1a of the through hole H is measured using laser light, and during epitaxial growth, the outputs of heaters 9 positioned above and below the susceptor 3 are adjusted in accordance with the measured height difference D. Thus, an epitaxial wafer manufacturing method in which the outputs of the heat sources during epitaxial growth can be easily adjusted is provided.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de plaquette épitaxiale consistant à réaliser la croissance d'une couche épitaxiale au moyen d'un procédé en phase vapeur sur une plaquette (W) placée sur un suscepteur (3) de sorte que la surface supérieure (4b1) d'une broche de levage insérée dans un trou traversant (H) dans le suscepteur (3) est rétractée ou fait saillie par rapport à l'ouverture (H1a) sur le côté supérieur du trou traversant (H) de manière à former une différence de hauteur (D). La différence de hauteur (D) de la surface supérieure (4b1) de la broche de levage (4) à l'ouverture (H1a) du trou traversant (H) est mesurée à l'aide d'une lumière laser, et au cours de la croissance épitaxiale, les sorties de dispositifs de chauffage (9) positionnés au-dessus et au-dessous du suscepteur (3) sont ajustées en fonction de la différence de hauteur (D) mesurée. Ainsi, l'invention concerne un procédé de fabrication de plaquette épitaxiale permettant d'ajuster facilement les sorties des sources de chaleur au cours de la croissance épitaxiale.
(JA) サセプタ3の貫通孔Hに挿入されるリフトピン4の上面4b1が貫通孔Hの上側の開口H1aに対して引っ込む又は突出して段差Dを有した状態で、サセプタ3上に載置される基板Wにエピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法である。リフトピン4の上面4b1から貫通孔Hの開口H1aまでの段差Dをレーザー光で測定し、その測定した段差Dに応じてサセプタ3の上下に位置するヒーター9のエピタキシャル成長時の出力を調節する。これにより、エピタキシャル成長時の熱源の出力を調節することが容易なエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)