WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2016098368) METHOD FOR PRODUCING PHOTOVOLTAIC DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/098368    International Application No.:    PCT/JP2015/063432
Publication Date: 23.06.2016 International Filing Date: 11.05.2015
IPC:
H01L 31/18 (2006.01), H01L 31/0236 (2006.01), H01L 31/068 (2012.01)
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventors: SATO Takehiko; (JP).
NISHIMURA Kunihiko; (JP).
NISHIMURA Shinya; (JP).
WATAHIKI Tatsuro; (JP)
Agent: YOSHITAKE Hidetoshi; (JP)
Priority Data:
2014-254762 17.12.2014 JP
Title (EN) METHOD FOR PRODUCING PHOTOVOLTAIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE
(JA) 光起電力装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide a method for producing a photovoltaic device that makes it possible to minimize decreases in open-circuit voltage and fill factor or to minimize the occurrence of current leaks. This method for producing a photovoltaic device is provided with: a step (a) in which a pyramid-like texture is formed on a first main surface of a silicon substrate (1); a step (b) in which first silicate glass (8) containing impurities of a first conductivity type is formed on the first main surface; a step (c) in which second silicate glass (9) that does not contain conductive impurities is formed on the first silicate glass (8); a step (d) in which the impurities of the first conductivity type that are included in the first silicate glass (8) are dispersed on the first main surface of the silicon substrate (1); a step (e) in which third silicate glass (10) containing impurities of the first conductivity type is formed on the second silicate glass (9); and a step (f) in which, after the step (e), impurities of a second conductivity type are dispersed on a second main surface of the silicon substrate (1).
(FR)L'objet de la présente invention est de fournir un procédé de production d'un dispositif photovoltaïque qui permet de minimiser une réduction de tension en circuit ouvert et de facteur de remplissage ou de minimiser l'apparition de fuites de courant. Ce procédé de production d'un dispositif photovoltaïque est pourvu : d'une étape (a) au cours de laquelle une texture en forme de pyramide est formée sur une première surface principale d'un substrat de silicium (1) ; d'une étape (b) au cours de laquelle un premier verre de silicate (8) contenant des impuretés d'un premier type de conductivité est formé sur la première surface principale ; d'une étape (c) au cours de laquelle un second verre de silicate (9) qui ne contient pas d'impuretés conductrices est formé sur le premier verre de silicate (8) ; d'une étape (d) au cours de laquelle les impuretés du premier type de conductivité qui sont incluses dans le premier verre de silicate (8) sont dispersées sur la première surface principale du substrat de silicium (1) ; d'une étape (e) au cours de laquelle un troisième verre de silicate (10) contenant des impuretés du premier type de conductivité est formé sur le second verre de silicate (9) ; et d'une étape (f) au cours de laquelle, après l'étape (e), des impuretés d'un second type de conductivité sont dispersées sur une seconde surface principale du substrat de silicium (1).
(JA) 本発明は、開放電圧およびフィルファクターの低下、あるいは電流リークの発生を抑制することが可能な光起電力装置の製造方法を提供することを目的とする。本発明による光起電力装置の製造方法は、(a)シリコン基板(1)の第1の主面にピラミッド状のテクスチャーを形成する工程と、(b)第1の主面上に第1の導電型の不純物を含む第1のシリケートガラス(8)を形成する工程と、(c)第1のシリケートガラス(8)上に導電型不純物を含まない第2のシリケートガラス(9)を形成する工程と、(d)第1のシリケートガラス(8)に含まれる第1の導電型の不純物をシリコン基板(1)の第1の主面に拡散させる工程と、(e)第2のシリケートガラス(9)上に第1の導電型の不純物を含む第3のシリケートガラス(10)を形成する工程と、(f)工程(e)の後、シリコン基板(1)の第2の主面に第2の導電型の不純物を拡散させる工程とを備える。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)