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1. (WO2016098273) ACTIVE LAYER STRUCTURE, SEMICONDUCTOR LIGHT-EMISSION ELEMENT, AND DISPLAY DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/098273    International Application No.:    PCT/JP2015/005008
Publication Date: 23.06.2016 International Filing Date: 01.10.2015
IPC:
H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/14 (2010.01), G02B 26/10 (2006.01)
Applicants: SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1 Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
Inventors: WATANABE, Yoshiaki; (JP).
KAWASUMI, Takayuki; (JP)
Agent: OMORI, Junichi; (JP)
Priority Data:
2014-256970 19.12.2014 JP
Title (EN) ACTIVE LAYER STRUCTURE, SEMICONDUCTOR LIGHT-EMISSION ELEMENT, AND DISPLAY DEVICE
(FR) STRUCTURE À COUCHE ACTIVE, ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 活性層構造、半導体発光素子および表示装置
Abstract: front page image
(EN)This semiconductor light-emission element is provided with: a first conductivity type layer; a second conductivity type layer; and an active layer provided therebetween. The first conductivity type layer is provided with a current-constriction structure in which a constricted current injection region is formed. The active layer is provided with a plurality of quantum well layers, and is formed such that a first light-emission wavelength corresponding to the light-emission recombination level energy gap of a first quantum well layer, among the plurality of quantum well layers, which is provided in the position nearest to the current-constriction structure, is included in the wavelength range of an intensity peak of the entire light-emission spectrum.
(FR)L'invention concerne un élément électroluminescent semi-conducteur comprenant : une couche d'un premier type de conductivité ; une couche d'un second type de conductivité ; et une couche active disposée entre celles-ci. La couche du premier type de conductivité comprend une structure de limitation de courant dans laquelle est formée une région d'injection de courant limité. La couche active comprend une pluralité de couches de puits quantiques, et est formée de sorte qu'une première longueur d'onde électroluminescente correspondant à la bande d'énergie interdite de niveau de recombinaison d'électroluminescence d'une première couche de puits quantique, parmi la pluralité de couches de puits quantiques, qui est située au niveau de la position la plus proche de la structure de limitation de courant, soit comprise dans la plage de longueurs d'onde d'un pic d'intensité de la totalité du spectre d'électroluminescence.
(JA)【解決手段】半導体発光素子は、第1導電型層と、第2導電型層と、それらの間に設けられた活性層とを具備する。前記第1導電型層は、電流の注入領域が狭窄して構成された電流狭窄構造を有する。前記活性層は、複数の量子井戸層を有し、前記複数の量子井戸層のうち、前記電流狭窄構造に最も近い位置に設けられた第1量子井戸層が持つ発光再結合準位エネルギーギャップに対応する第1発光波長が、全体の発光スペクトラムの強度ピークの波長域に含まれるように構成される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)