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1. (WO2016098209) NEGATIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR ELECTRICAL DEVICE, AND ELECTRICAL DEVICE USING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/098209    International Application No.:    PCT/JP2014/083475
Publication Date: 23.06.2016 International Filing Date: 17.12.2014
Chapter 2 Demand Filed:    10.09.2015    
IPC:
H01M 4/36 (2006.01), H01M 4/02 (2006.01), H01M 4/38 (2006.01), H01M 10/0585 (2010.01)
Applicants: NISSAN MOTOR CO., LTD. [JP/JP]; 2, Takara-cho, Kanagawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2208623 (JP)
Inventors: KABURAGI, Tomohiro; (JP).
WATANABE, Manabu; (JP).
CHIBA, Nobutaka; (JP).
MIKI, Humihiro; (JP).
TANIMURA, Makoto; (JP)
Agent: HATTA & ASSOCIATES; Dia Palace Nibancho, 11-9, Nibancho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020084 (JP)
Priority Data:
Title (EN) NEGATIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR ELECTRICAL DEVICE, AND ELECTRICAL DEVICE USING SAME
(FR) MATIÈRE ACTIVE D'ÉLECTRODE NÉGATIVE POUR DISPOSITIF ÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF ÉLECTRIQUE L'UTILISANT
(JA) 電気デバイス用負極活物質、およびこれを用いた電気デバイス
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To provide a means for improving cycle durability of an electrical device such as a lithium-ion secondary cell. [Solution] A negative electrode active material that comprises a silicon-containing alloy having a composition represented by chemical formula (I): SixSnyMzAa (where A represents unavoidable impurities, M represents one or more transition metal elements, and x, y, z, and a represent values in mol%, such that 0 < x < 100, 0 < y < 100, 0 < z < 100, 0 ≤ a < 0.5, and x + y + z + a = 100), and that has a size of 10 nm or less, which size is obtained by performing a Fourier transform process from a lattice image of the silicon-containing alloy obtained using a transmission electron microscope, to obtain a diffraction pattern, performing an inverse Fourier transform process of a diffraction ring section present in a width of 0.7-1.0 within the diffraction pattern, where the distance between Si regular tetrahedrons in the diffraction image is assigned a value of 1.0, and from the Fourier image so obtained, taking the average value of the long-axis diameters of areas at five points of maximum long-axis diameter among areas having a periodic array, is used in an electrical device.
(FR)La présente invention a pour but de fournir un moyen d'amélioration de la durabilité d'un dispositif électrique tel qu'une pile rechargeable au lithium-ion. Pour atteindre ce but, la présente invention porte sur une matière active d'électrode négative, utilisée dans un dispositif électrique, qui comprend un alliage contenant du silicium dont la composition est représentée par la formule chimique (I) : SixSnyMzAa (où A représente les impuretés inévitables, M représente un ou plusieurs éléments de métal de transition, et x, y, z, et a représentent des valeurs en % en moles, de telle sorte que 0 < x < 100, 0 < y < 100, 0 < z < 100, 0 ≤ a < 0,5, et x + y + z + a =100), et qui présente une dimension de 10 nm au maximum, ladite dimension étant obtenue par l'exécution d'une opération de transformée de Fourier à partir d'une image de réseau de l'alliage contenant du silicium obtenue à l'aide d'un microscope électronique en transmission, pour obtenir un motif de diffraction, par l'exécution d'une opération de transformée de Fourier inverse d'une section d'anneau de diffraction présente dans une largeur de 0,7 à 1,0 dans le motif de diffraction, la distance entre des tétraèdres réguliers de Si dans l'image de diffraction se voyant attribuée la valeur de 1,0, et, à partir de l'image de Fourier ainsi obtenue, par la prise de la valeur moyenne des diamètres d'axe long de zones à cinq points de diamètre d'axe long maximal parmi des zones ayant un réseau périodique.
(JA)【課題】リチウムイオン二次電池等の電気デバイスのサイクル耐久性を向上させうる手段を提供する。 【解決手段】化学式(I):SiSn(式中、Aは不可避不純物、Mは1又は2以上の遷移金属元素、x、y、z及びaは質量%の値を表し、この際、0<x<100、0<y<100、0<z<100及び0≦a<0.5、かつx+y+z+a=100である)で表される組成を有するケイ素含有合金からなり、該ケイ素含有合金の透過電子顕微鏡により得られた格子像からフーリエ変換処理を行い、回折図形を得、該回折図形の中で、Si正四面体間距離を1.0とした場合の、0.7~1.0の幅に存在する回折リング部分を逆フーリエ変換を行い、得られたフーリエ画像から周期配列を有する領域の長軸径が最大5点のものの長軸径の平均値により得られたサイズが10nm以下である負極活物質を電気デバイスに用いる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)