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1. (WO2016095858) TOPOLOGICAL INSULATOR SATURABLE ABSORBER MIRROR AND FABRICATING METHOD THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/095858    International Application No.:    PCT/CN2015/097917
Publication Date: 23.06.2016 International Filing Date: 18.12.2015
IPC:
H01S 3/098 (2006.01), H01S 3/067 (2006.01)
Applicants: SHENZHEN UNIVERSITY [CN/CN]; No. 3688 Nanhai Road, Nanshan Shenzhen, Guangdong 518000 (CN)
Inventors: YAN, Peiguang; (CN).
RUAN, Shuangchen; (CN).
CAO, Guangzhong; (CN)
Agent: HENSEN INTELLECTUAL PROPERTY FIRM; 10h Shangbu Building No. 68 Nanyuan Road, Futian Shenzhen, Guangdong 518000 (CN)
Priority Data:
201410803388.9 19.12.2014 CN
Title (EN) TOPOLOGICAL INSULATOR SATURABLE ABSORBER MIRROR AND FABRICATING METHOD THEREFOR
(FR) MIROIR D'ABSORBANT SATURABLE D'ISOLANT TOPOLOGIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 拓扑绝缘体可饱和吸收镜及其制备方法
Abstract: front page image
(EN)A topological insulator saturable absorber mirror and a fabricating method therefor. The topological insulator saturable absorber mirror (6) comprises a base (101) and a topological insulator thin film (102) plated on the base (101). The fabricating method comprises the following steps: place a base (101) and a topological insulator target material in a vacuum chamber (S1); ionize the surface of the topological insulator target material to produce a plasma of the topological insulator, and the plasma deposits on the base (101) to form a topological insulator thin film (102) (S2); control deposition time and/or a deposition temperature to enable the topological insulator thin film (102) to have the needed thickness (S3). The topological insulator saturable absorber mirror (6) has a high damage threshold, a simple structure, low costs, high reliability and is suitable for mass production. Meanwhile, a mode locked fiber laser of the topological insulator saturable absorber mirror (6) has the advantages of high reliability and being suitable for achievement transformation.
(FR)La présente invention concerne un miroir d'absorbant saturable d'isolant topologique et son procédé de fabrication. Le miroir (6) d'absorbant saturable d'isolant topologique comprend une base (101) et un film mince (102) d'isolant topologique plaqué sur la base (101). Le procédé de fabrication comprend les étapes suivantes consistant à : placer une base (101) et un matériau cible d'isolant topologique dans une chambre à vide (S1) ; ioniser la surface du matériau cible d'isolant topologique pour produire un plasma de l'isolant topologique et les dépôts de plasma sur la base (101) pour former un film mince (102) d'isolant topologique (S2) ; commander la durée de dépôt et/ou une température de dépôt afin de permettre au film mince (102) d'isolant topologique d'avoir l'épaisseur nécessaire (S3). Le miroir (6) d'absorbant saturable d'isolant topologique présente un seuil d'endommagement élevé, une structure simple, de faibles coûts, une grande fiabilité et convient pour une production de masse. En même temps, un laser à fibre à verrouillage de mode du miroir (6) d'absorbant saturable d'isolant topologique présente les avantages d'une fiabilité élevée et est approprié pour la transformation de résultat.
(ZH)一种拓扑绝缘体可饱和吸收镜(6)及其制备方法。该拓扑绝缘体可饱和吸收镜(6)包括基底(101)及镀在所述基底(101)上的拓扑绝缘体薄膜(102)。制备方法包括如下步骤:将基底(101)及拓扑绝缘体靶材置于真空室(S1);将所述拓扑绝缘体靶材表面电离化,产生所述拓扑绝缘体的等离子体,所述等离子体沉积在所述基底(101)上形成拓扑绝缘体薄膜(102)(S2);控制沉积时间及/或沉积温度使所述拓扑绝缘体薄膜(102)达到所需厚度(S3)。这种拓扑绝缘体可饱和吸收镜(6)具有高损伤阈值,结构简单、成本低廉,可靠性高,适于批量生产。利用这种拓扑绝缘体可饱和吸收镜(6)的锁模光纤激光器具有高可靠性和适于成果转化的优点。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)