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1. (WO2016095259) HEATING CHAMBER AND SEMICONDUCTOR PROCESSING APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/095259    International Application No.:    PCT/CN2014/095084
Publication Date: 23.06.2016 International Filing Date: 26.12.2014
IPC:
C23C 16/46 (2006.01)
Applicants: BEIJING NAURA MICROELECTRONICS EQUIPMENT CO., LTD. [CN/CN]; No.8 Wenchang Avenue, Beijing Economic-Technological Development Area Beijing 100176 (CN)
Inventors: JIA, Qiang; (CN).
ZHAO, Mengxin; (CN)
Agent: TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; Tianshu ZHANG 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005 (CN)
Priority Data:
201410788850.2 17.12.2014 CN
Title (EN) HEATING CHAMBER AND SEMICONDUCTOR PROCESSING APPARATUS
(FR) CHAMBRE DE CHAUFFAGE ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS
(ZH) 加热腔室以及半导体加工设备
Abstract: front page image
(EN)A heating chamber and semiconductor processing apparatus, the heating chamber comprising: a heating barrel (17) provided in the heating chamber and located above a wafer transfer opening; an annular heating device (15) provided around an inner side of the heating barrel and used to radiate heat from a periphery to an interior of the heating barrel; a wafer box (14) used to carry multiple layers of substrates and having the multiple layers of the substrates arranged and spaced apart along an axial direction of the heating barrel; and a wafer box lifting device (13) used to drive the wafer box to ascend to an interior space defined by the annular heating device, or to descend to a position corresponding to the wafer transfer opening. The heating chamber can heat multiple layers of substrates arranged and spaced apart in a vertical direction in a single operation, thus significantly increasing the number of substrates processed per unit of time, and also guarantees a higher level of temperature uniformity within the substrates and between the substrates, thus improving processing uniformity.
(FR)L'invention concerne une chambre de chauffage et un appareil de traitement de semi-conducteurs, la chambre de chauffage comprenant : un cylindre de chauffage (17) disposé dans la chambre de chauffage et situé au-dessus d'une ouverture de transfert de plaquette; un dispositif de chauffage annulaire (15) disposé autour d'une face interne du cylindre de chauffage et utilisé pour émettre de la chaleur par rayonnement à partir d'une périphérie vers un intérieur du cylindre de chauffage; une boîte (14) pour plaquettes, utilisée pour transporter de multiples couches de substrats, dans laquelle les multiples couches des substrats sont disposées et espacées les unes des autres le long d'une direction axiale du cylindre de chauffage; et un dispositif de levage de boîte de plaquettes (13) chargé d'entraîner la boîte de plaquettes à monter jusqu'à un espace intérieur délimité par le dispositif de chauffage annulaire, ou descendre jusqu'à une position correspondant à l'ouverture de transfert de plaquette. La chambre de chauffage peut chauffer en une seule opération plusieurs couches de substrats disposées et espacées dans une direction verticale, ce qui permet d'augmenter de manière significative le nombre de substrats traités par unité de temps, et garantit également une plus grande uniformité de température à l'intérieur de ces substrats et entre les substrats, ce qui permet d'améliorer l'uniformité de traitement.
(ZH)一种加热腔室以及半导体加工设备。该加热腔室包括加热筒体(17),设置在加热腔室内,且位于传片口的上方;环形加热装置(15),环绕设置在加热筒体内侧,用以自加热筒体的周围向内部辐射热量;片盒(14),用于承载多层基片,且使多层基片沿加热筒体的轴向间隔排布;片盒升降装置(13),用于驱动片盒上升至由环形加热装置限定的内部空间内,或者下降至与传片口相对应的位置处。该加热腔室其不仅可以实现单次对在竖直方向上间隔排布的多层基片同时进行加热,从而成倍地增加单位时间内加工基片的数量,而且更容易保证基片各区域之间以及各基片间的温度均匀性,从而可以提高工艺均匀性。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)