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1. (WO2016094223) DOPED TERNARY NITRIDE EMBEDDED RESISTORS FOR RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY CELLS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/094223    International Application No.:    PCT/US2015/063921
Publication Date: 16.06.2016 International Filing Date: 04.12.2015
IPC:
H01L 21/8239 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01)
Applicants: INTERMOLECULAR, INC. [US/US]; 3011 North First Street San Jose, California 95134 (US)
Inventors: WANG, Yun; (US)
Agent: HELMS, JR., Aubrey L.; (US)
Priority Data:
14/562,971 08.12.2014 US
Title (EN) DOPED TERNARY NITRIDE EMBEDDED RESISTORS FOR RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY CELLS
(FR) RÉSISTANCES INCORPORÉES DE NITRURE TERNAIRE DOPÉES POUR CELLULES DE MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE
Abstract: front page image
(EN)Provided are resistive random access memory (ReRAM) cells with embedded resistors and methods of fabricating these cells. An embedded resistor may include a metal silicon nitride of a first metal and may be doped with a second metal, which is different from the first metal. The second metal may have less affinity to form covalent bonds with nitrogen than the first metal. As such, the second metal may be unbound and more mobile in the embedded resistor that the first metal. The second metal may help establishing conductive paths in the embedded resistor in addition to the metal nitride resulting in more a stable resistivity despite changing potential applies to the ReRAM cell. In other words, the embedded resistor having such composition will have more linear I-V performance. The concentration of the second metal in the embedded resistor may be substantially less than the concentration of the first metal.
(FR)L'invention concerne des cellules de mémoire vive résistive (mémoire RRAM) présentant des résistances incorporées et des procédés de fabrication de telles cellules. Une résistance incorporée peut comprendre un nitrure de silicium de métal d'un premier métal et peut être dopée à l'aide d'un second métal, qui est différent du premier métal. Le second métal peut avoir moins d'affinité pour former des liaisons covalentes avec de l'azote que le premier métal. En tant que tel, le second métal peut être non lié et plus mobile dans la résistance incorporée que le premier métal. Le second métal peut aider à établir des chemins conducteurs dans la résistance incorporée en plus du nitrure de métal ce qui permet d'obtenir davantage de résistivité stable malgré l'application d'un potentiel changeant à la cellule de mémoire RRAM. En d'autres termes, la résistance incorporée ayant une telle composition aura une performance I-V plus linéaire. La concentration du second métal dans la résistance incorporée peut être sensiblement inférieure à la concentration du premier métal.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)