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1. (WO2016093935) METHOD TO RECOVER CYCLING DAMAGE AND IMPROVE LONG TERM DATA RETENTION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/093935    International Application No.:    PCT/US2015/054454
Publication Date: 16.06.2016 International Filing Date: 07.10.2015
IPC:
G11C 16/34 (2006.01)
Applicants: SanDisk Technologies LLC [US/US]; 6900 Dallas Parkway Suite 325 Plano, Texas 75024 (US)
Inventors: LU, Ching-Huang; (US).
ZHANG, Zhengyi; (US).
ZHAO, Wei; (US).
DONG, Yingda; (US).
CHEN, Jian; (US)
Agent: MAGEN, BURT; Vierra Magen Marcus LLP 575 Market Street, Suite 3750 San Francisco, California 94105 (US)
Priority Data:
14/565,729 10.12.2014 US
Title (EN) METHOD TO RECOVER CYCLING DAMAGE AND IMPROVE LONG TERM DATA RETENTION
(FR) PROCÉDÉ DE RÉCUPÉRATION DE DOMMAGES D'ITÉRATION ET D'AMÉLIORATION DE CONSERVATION DE DONNÉES À LONG TERME
Abstract: front page image
(EN)Techniques for reversing damage caused by program-erase cycles in charge-trapping memory to improve long term data retention. A recovery process improves the data retention of a block of memory cells by programming the memory cells to a relatively high threshold voltage and enforcing a time period of several minutes or hours in which the memory cells are inactive and remain at the relatively high Vth levels. Damage such as traps in the memory cells is essentially healed or annealed out during this inactive period. All of the memory cells can be healed at the same time and by relatively equal amounts. At the conclusion of the recovery process, the block is returned to a pool of available blocks. In one approach, an amount of recovery is measured and the period of inactivity is continued for an amount of time which is based on the amount of recovery
(FR)L'invention concerne des techniques pour inverser des dommages causés par des cycles de suppression de programme dans une mémoire de piégeage de charge pour améliorer la conservation de données à long terme. Un processus de récupération améliore la conservation de données d'un bloc de cellules de mémoire en programmant les cellules de mémoire à une tension de seuil relativement élevée et en appliquant une période de temps de plusieurs minutes ou heures, dans laquelle les cellules de mémoire sont inactives et restent à des niveaux de Vth relativement élevés. Des dommages, tels que des pièges, dans les cellules de mémoire sont essentiellement réparés ou recuits pendant cette période inactive. Toutes les cellules de mémoire peuvent être réparées en même temps et par des quantités relativement égales. À la fin du processus de récupération, le bloc est renvoyé à un groupe de blocs disponibles. Dans une approche, une quantité de récupération est mesurée et la période d'inactivité est poursuivie pendant une durée qui est basée sur la quantité de récupération.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)