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1. (WO2016092956) BOARD FOR LIGHT EMITTING DEVICES AND METHOD FOR PRODUCING BOARD FOR LIGHT EMITTING DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/092956    International Application No.:    PCT/JP2015/079570
Publication Date: 16.06.2016 International Filing Date: 20.10.2015
IPC:
H01L 33/62 (2010.01), H01L 23/12 (2006.01), H01L 23/36 (2006.01), H01L 33/60 (2010.01), H01L 33/64 (2010.01), H05K 3/18 (2006.01), H05K 3/38 (2006.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
Inventors: KONISHI, Masahiro; .
ITOH, Shin; .
YAMASHITA, Hiroshi; .
YAMAGUCHI, Ippei; .
NOKUBO, Hiroyuki; .
ITAKURA, Yoshiaki;
Agent: HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041 (JP)
Priority Data:
2014-248318 08.12.2014 JP
Title (EN) BOARD FOR LIGHT EMITTING DEVICES AND METHOD FOR PRODUCING BOARD FOR LIGHT EMITTING DEVICES
(FR) CARTE POUR DISPOSITIFS ÉMETTEURS DE LUMIÈRE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE CARTE POUR DISPOSITIFS ÉMETTEURS DE LUMIÈRE
(JA) 発光装置用基板及び発光装置用基板の製造方法
Abstract: front page image
(EN)An electrode pattern (13) that is formed on a ceramic layer (2) in a board for light emitting devices (a circuit board (320)) comprises a first metal layer (5), a second metal layer (7) and an electrode terminal part (10). The thickness of the electrode pattern (13) in portions where the electrode terminal part (10) is not formed is at least 35 μm. Consequently, the thermal resistance is able to be suppressed low.
(FR)Un motif (13) d'électrode formé sur une couche (2) de céramique dans une carte pour dispositifs émetteurs de lumière (une carte (320) à circuit) comporte une première couche métallique (5), une deuxième couche métallique (7) et une partie (10) de borne d'électrode. L'épaisseur du motif (13) d'électrode dans des sections où la partie (10) de borne d'électrode n'est pas formée est d'au moins 35 μm. Par conséquent, il est possible de maintenir une faible résistance thermique.
(JA) 本発明の発光装置用基板(回路基板(320))におけるセラミックス層(2)上に形成された電極パターン(13)は、第1金属層(5)と、第2金属層(7)と、電極端子部(10)とを有し、前記電極パターン(13)における前記電極端子部(10)が形成されていない部分の厚みは、少なくとも35μm以上である。これにより、熱抵抗を低く抑えることを可能とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)