WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2016092887) SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/092887    International Application No.:    PCT/JP2015/067307
Publication Date: 16.06.2016 International Filing Date: 16.06.2015
IPC:
H01L 29/12 (2006.01), C23C 16/30 (2006.01), C23C 16/42 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/161 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/868 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventors: TANAKA Takanori; (JP).
TOMITA Nobuyuki; (JP).
YAMAMOTO Shigehisa; (JP).
MITANI Yoichiro; (JP).
SAKAI Masashi; (JP).
KIMURA Yasuhiro; (JP).
ONO Akihito; (JP).
HAMANO Kenichi; (JP)
Agent: YOSHITAKE Hidetoshi; (JP)
Priority Data:
2014-251470 12.12.2014 JP
Title (EN) SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) SUBSTRAT ÉPITAXIAL DE CARBURE DE SILICIUM ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素半導体装置
Abstract: front page image
(EN)A silicon carbide epitaxial substrate (3) constituting a silicon carbide semiconductor device (100) is provided with: a silicon carbide substrate (10), which has an impurity concentration equal to or higher than 3×1018 cm-3, and has an off-angle exceeding 0°; and an active layer (11). A first epitaxial layer (20), a second epitaxial layer (21), and a third epitaxial layer (22) of the active layer (11) satisfy the relationship of N1≤1×1016 cm-3, N2≥1×1017 cm-3, N3≤1×1016 cm-3, T2≥0.01 μm, and T1×T2×N2≤2.684×1017, where the layer thicknesses of the epitaxial layers are respectively represented by T1 [μm], T2 [μm], and T3 [μm], and the impurity concentrations thereof are respectively represented by N1 [cm-3], N2 [cm-3], and N3 [cm-3].
(FR)La présente invention concerne un substrat épitaxial de carbure de silicium (3) constituant un dispositif à semi-conducteur de carbure de silicium (100) comprenant : un substrat de carbure de silicium (10), qui a une concentration d'impuretés supérieure ou égale à 3×1018 cm-3, et un angle de décalage dépassant 0°; et une couche active (11). Une première couche épitaxiale (20), une deuxième couche épitaxiale (21), et une troisième couche épitaxiale (22) de la couche active (11) satisfont la relation N1 ≤ 1×1016 cm-3, N2 ≥ 1×1017 cm-3, N3 ≤ 1×1016 cm-3, T2 ≥ 0,01 μm, et T1 × T2 × N2 ≤ 2,684 × 1017, où les épaisseurs de couche des couches épitaxiales sont respectivement représentées par T1 [μm], T2 [μm], et T3 [μm], et leurs concentrations d'impuretés sont respectivement représentées par N1 [cm-3], N2 [cm-3], et N3 [cm-3].
(JA) 炭化珪素半導体装置(100)を構成する炭化珪素エピタキシャル基板(3)は、不純物濃度が3×1018cm-3以上であり、0°を超えるオフ角を有する炭化珪素基板(10)と、活性層(11)とを備える。活性層(11)の第1エピタキシャル層(20)、第2エピタキシャル層(21)、第3エピタキシャル層(22)は、層厚をそれぞれT1[μm]、T2[μm]、T3[μm]とし、不純物濃度をそれぞれN1[cm-3]、N2[cm-3]、N3[cm-3]としたとき、N1≦1×1016cm-3、N2≧1×1017cm-3、N3≦1×1016cm-3、T2≧0.01μm、T1×T2×N2≦2.684×1017の関係を満たす。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)