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1. (WO2016091194) HIGH-EXTINCTION-RATIO TM OPTICAL SWITCH BASED ON PHOTONIC CRYSTAL SLABS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/091194    International Application No.:    PCT/CN2015/097053
Publication Date: 16.06.2016 International Filing Date: 10.12.2015
IPC:
G02B 26/00 (2006.01), G02B 6/122 (2006.01)
Applicants: SHENZHEN UNIVERSITY [CN/CN]; No.3688, Nanhai Avenue, Nanshan Shenzhen, Guangdong 518000 (CN)
Inventors: OUYANG, Zhengbiao; (CN).
WEN, Guohua; (CN)
Agent: SHENZHEN LITUO INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY CO., LTD; 1701, East Tower, Nanshan Software Park 10128# Shennan Avenue, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518000 (CN)
Priority Data:
201410756937.1 10.12.2014 CN
Title (EN) HIGH-EXTINCTION-RATIO TM OPTICAL SWITCH BASED ON PHOTONIC CRYSTAL SLABS
(FR) COMMUTATEUR OPTIQUE TM À RAPPORT D'EXTINCTION ÉLEVÉ BASÉ SUR DES PLAQUES DE CRISTAUX PHOTONIQUES
(ZH) 基于平板光子晶体的高消光比TM光开关
Abstract: front page image
(EN)A high-extinction-ratio TM optical switch based on photonic crystal slabs comprises an upper photonic crystal slab and a lower photonic crystal slab that are connected to form a unity. The upper photonic crystal slab is a first tetragonal lattice photonic crystal slab, and the unit cell of the first tetragonal lattice photonic crystal slab consists of a high-refraction-index rotary square rod, three first-slab dielectric rods and a background dielectric. The first-slab dielectric rod consists of a high-refraction-index dielectric tube and a low-refraction-index dielectric therein, or consists of one to three high-refraction-index slab films, or consists of a low-refraction-index dielectric. The lower photonic crystal slab is a second tetragonal lattice photonic crystal slab with a complete band gap, and the unit cell of the second tetragonal lattice photonic crystal slab consists of a high-refraction-index rotary square rod, three high-refraction-index second-slab dielectric rods and a low-refraction-index background dielectric. The frequency of the TM band gap ranges from 0.405 to 0.457. A high-extinction-ratio TM optical switch can be achieved with such a structure.
(FR)L'invention concerne un commutateur optique TM à rapport d'extinction élevé basé sur des plaques de cristaux photoniques qui comprend une plaque de cristaux photoniques supérieure et une plaque de cristaux photoniques inférieure qui sont reliées pour former une unité. La plaque de cristaux photoniques supérieure est une première plaque de cristaux photoniques à réseau tétragonal, et la cellule unitaire de la première plaque de cristaux photoniques à réseau tétragonal consiste en une tige carrée tournante à indice de réfraction élevé, trois tiges diélectriques de première plaque et un diélectrique d'arrière-plan. La tige diélectrique de première plaque est constituée d'un tube diélectrique à indice de réfraction élevé et d'un diélectrique à faible indice de réfraction en son sein, ou est constituée d'un à trois films de plaque à indice de réfraction élevé, ou est constituée d'un diélectrique à indice de réfraction faible. La plaque de cristaux photoniques inférieure est une seconde plaque de cristaux photoniques à réseau tétragonal avec une bande interdite complète, et la cellule unitaire de la seconde plaque de cristaux photoniques à réseau tétragonal consiste en une tige carrée tournante à indice de réfraction élevée, trois tiges diélectriques de seconde plaque à indice de réfraction élevé et un diélectrique d'arrière-plan à indice de réfraction faible. La fréquence de la bande interdite TM est de 0,405 à 0,457. Un commutateur optique TM à rapport d'extinction élevé peut être obtenu avec une telle structure.
(ZH)一种基于平板光子晶体高消光比TM光开关。它包括上下两层平板光子晶体相连的一个整体;上平板光子晶体为一个具有第一平板正方晶格光子晶体,第一平板正方晶格光子晶体的元胞由高折射率旋转正方形柱杆、3个第一平板介质杆和背景介质组成,第一平板介质杆由高折射率介质套管和套管内的低折射率介质组成,或者由1至3块高折射率平板薄膜组成,或者由低折射率介质组成;下平板光子晶体为一个具有完全禁带的第二正方晶格光子晶体,第二正方晶格光子晶体的元胞由高折射率旋转正方形杆、3个高折射率第二平板介质杆和背景介质为低折射率介质组成;TM禁带频率为0.405~0.457。该结构实现了高消光比TM光开关。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)