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1. (WO2016091070) ELECTRONIC SKIN AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/091070    International Application No.:    PCT/CN2015/095549
Publication Date: 16.06.2016 International Filing Date: 25.11.2015
IPC:
A61B 5/01 (2006.01), A61B 5/02 (2006.01), A61B 5/22 (2006.01), H01L 27/13 (2006.01), H01L 21/77 (2006.01)
Applicants: GUANG DONG DONGBOND TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; Block C, Industrial Town, Songshanhu Scientific Industrial Park North Dongguan, Guangdong 523808 (CN)
Inventors: LIU, Ping; (CN)
Agent: CHINA TRUER IP; 10A3, Jiangxi Shiji Haoting Building (Jiangxi Building), Shennan Road South, Chegong Miao, Futian District Shenzhen, Guangdong 518040 (CN)
Priority Data:
201410770984.1 12.12.2014 CN
Title (EN) ELECTRONIC SKIN AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) PEAU ÉLECTRONIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种电子皮肤及其制备方法
Abstract: front page image
(EN)An electronic skin and a manufacturing method therefor. The electronic skin comprises an oxide thin film transistor, a pressure sensor and a temperature sensor which are installed on a flexible substrate (50). The pressure sensor and the temperature sensor are respectively located on two sides of the flexible substrate (50). The oxide thin film transistor comprises a first thin film transistor and a second thin film transistor. The pressure sensor is used for driving the first thin film transistor, and the temperature sensor is used for driving the second thin film transistor. The manufacturing method involves performing etching and deposition on the flexible substrate (50) with both surfaces covered by conductive materials to form the oxide thin film transistor, the pressure sensor and the temperature sensor. The electronic skin can measure the pressure and the temperature simultaneously, and has the advantages of simple structure, low power consumption, high sensitivity and little interference between sensor signals.
(FR)L'invention concerne une peau électronique et son procédé de fabrication. La peau électronique comprend un transistor à film mince d'oxyde, un capteur de pression et un capteur de température qui sont installés sur un substrat flexible (50). Le capteur de pression et le capteur de température sont respectivement situés sur deux côtés du substrat flexible (50). Le transistor à film mince d'oxyde comprend un premier transistor à film mince et un second transistor à film mince. Le capteur de pression est utilisé pour entraîner le premier transistor à film mince, et le capteur de température est utilisé pour entraîner le second transistor à film mince. Le procédé de fabrication consiste à effectuer une gravure et un dépôt sur le substrat flexible (50) avec les deux surfaces recouvertes par des matériaux conducteurs pour former le transistor à film mince d'oxyde, le capteur de pression et le capteur de température. La peau électronique peut mesurer la pression et la température simultanément, et présente les avantages d'avoir une structure simple, une faible consommation d'énergie, une sensibilité élevée et des interférences faibles entre les signaux de capteurs.
(ZH)一种电子皮肤及其制备方法,电子皮肤包括设置在柔性基板(50)上的氧化物薄膜晶体管、压力传感器和温度传感器。压力传感器和温度传感器分别位于柔性基板(50)的两侧,氧化物薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管。压力传感器用于驱动第一薄膜晶体管,温度传感器用于驱动第二薄膜晶体管。该制备方法是在双面覆有导电材料的柔性基板(50)上进行刻蚀、沉积形成氧化物薄膜晶体管、压力传感器和温度传感器。该电子皮肤可以同时测量压力和温度,结构简单,功耗小,灵敏度高及传感器信号间的干扰小。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)