WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2016090135) PIXEL STRUCTURE FOR ENERGY HARVESTING AND IMAGE SENSING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/090135    International Application No.:    PCT/US2015/063726
Publication Date: 09.06.2016 International Filing Date: 03.12.2015
IPC:
H01L 27/146 (2006.01)
Applicants: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE).
SHAH, Nishit [IN/US]; (US) (US only).
LAJEVARDI, Pedram [CA/US]; (US) (US only).
LANG, Christoph [DE/US]; (US) (US only)
Inventors: SHAH, Nishit; (US).
LAJEVARDI, Pedram; (US).
LANG, Christoph; (US)
Agent: MAGINOT, Paul, J.; (US)
Priority Data:
62/086,733 03.12.2014 US
62/086,737 03.12.2014 US
Title (EN) PIXEL STRUCTURE FOR ENERGY HARVESTING AND IMAGE SENSING
(FR) STRUCTURE DE PIXEL POUR COLLECTE D'ÉNERGIE ET DÉTECTION D'IMAGE
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor sensor and energy collector device includes semiconductor structures that act as an energy harvester or as an image sensing pixel with neither of the terminals connected to a fixed voltage supply. The semiconductor device includes a PIN layer and two terminals where neither terminal is connected to a fixed voltage supply. The PIN layer is disconnected from the P-type substrate using an N-doped isolation region. Also, a separate connection to both PIN layer and N- doped region formed in the sensor acts as the positive terminal (POS) and negative terminal (NEG) of the energy harvester respectively.
(FR)L'invention concerne un capteur semiconducteur et un dispositif collecteur d'énergie comprenant des structures semiconductrices qui agissent comme un collecteur d'énergie ou comme un pixel de détection d'image sans qu'aucune des bornes ne soit connectée à une alimentation électrique fixe. Le dispositif semiconducteur comprend une couche PIN et deux bornes où ni l'une ni l'autre des bornes n'est connectée à une alimentation électrique fixe. La couche PIN est déconnectée du substrat de type P en utilisant une région d'isolation dopée N. De même, une connexion séparée à la fois vers la couche PIN et la région dopée N formée dans le capteur agit respectivement en tant que borne positive (POS) et borne négative (NEG) du collecteur d'énergie.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)