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1. (WO2016089779) INSPECTION SYSTEMS AND TECHNIQUES WITH ENHANCED DETECTION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/089779    International Application No.:    PCT/US2015/063020
Publication Date: 09.06.2016 International Filing Date: 30.11.2015
IPC:
H01L 21/66 (2006.01)
Applicants: KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; Legal Department One Technology Drive Milpitas, California 95035 (US)
Inventors: LANGE, Steven R.; (US).
HWANG, Shiow-Hwei; (US).
BAR, Amir; (US)
Agent: MCANDREWS, Kevin; (US)
Priority Data:
62/086,596 02.12.2014 US
14/944,124 17.11.2015 US
Title (EN) INSPECTION SYSTEMS AND TECHNIQUES WITH ENHANCED DETECTION
(FR) SYSTÈMES ET TECHNIQUES D'INSPECTION À DÉTECTION AMÉLIORÉE
Abstract: front page image
(EN)Disclosed are methods and apparatus for inspecting semiconductor samples. On an inspection tool, a plurality of different wavelength ranges is selected for different layers of interest of one or more semiconductor samples based on whether such different layers of interest have an absorber type material present within or near such different layers of interest. On the inspection tool, at least one incident beam is directed at the different wavelength ranges towards the different layers of interest and, in response, output signals or images are obtained for each of the different layers of interest. The output signals or images from each of the different layers of interest are analyzed to detect defects in such different layers of interest.
(FR)L'invention concerne des procédés et un appareil permettant d'inspecter des échantillons de semi-conducteurs. Sur un outil d'inspection, une pluralité de plages de longueurs d'onde différentes est sélectionnée pour différentes couches d'intérêt d'un ou plusieurs échantillons de semi-conducteurs selon que ces différentes couches d'intérêt comprennent ou non un matériau du type absorbeur présent à l'intérieur ou à proximité de ces différentes couches d'intérêt. Sur l'outil d'inspection, au moins un faisceau incident est dirigé auxdites différentes plages de longueurs d'onde vers les différentes couches d'intérêt et, en réponse, des signaux ou des images sont obtenus en sortie pour chacune des différentes couches d'intérêt. Les images ou signaux en sortie provenant de chacune des différentes couches d'intérêt sont analysés pour détecter des défauts dans lesdites différentes couches d'intérêt.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)