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1. (WO2016089727) ANGLED ION BEAM PROCESSING OF HETEROGENEOUS STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/089727    International Application No.:    PCT/US2015/062905
Publication Date: 09.06.2016 International Filing Date: 30.11.2015
IPC:
H01L 27/115 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01)
Applicants: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, Massachusetts 01930 (US)
Inventors: RENAU, Anthony; (US).
HATEM, Christopher; (US)
Agent: DAISAK, Daniel N.; (US)
Priority Data:
62/087,980 05.12.2014 US
14/615,639 06.02.2015 US
Title (EN) ANGLED ION BEAM PROCESSING OF HETEROGENEOUS STRUCTURE
(FR) TRAITEMENT DE STRUCTURES HÉTÉROGÈNES PAR UN FAISCEAU INCLINÉ D’IONS
Abstract: front page image
(EN)A method for fabricating a multilayer structure includes providing a mask on a device stack disposed on the substrate, the device stack comprising a first plurality of layers composed of a first layer type and a second layer type; directing first ions along a first direction forming a first non-zero angle of incidence with respect to a normal to a plane of the substrate, wherein a first sidewall is formed having a sidewall angle forming a first non-zero angle of inclination with respect to the normal, the first sidewall comprising a second plurality of layers from at least a portion of the first plurality of layers and composed of the first layer type and second layer type; and etching the second plurality of layers using a first selective etch wherein the first layer type is selectively etched with respect to the second layer type.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d’une structure multicouche qui consiste à : disposer un masque sur un empilage de dispositifs disposés sur le substrat, l’empilage de dispositifs comprenant une première pluralité de couches composées d’un premier type de couche et d’un second type de couche ; diriger des premiers ions le long d’une première direction formant un premier angle d’incidence non nul par rapport à une normale à un plan du substrat, une première paroi latérale étant formée avec un angle de paroi latérale formant un premier angle d’inclinaison non nul par rapport à la normale, la première paroi latérale comprenant une seconde pluralité de couches d’au moins une partie de la première pluralité de couches et composées du premier type de couche et du second type de couche ; et graver la seconde pluralité de couches à l’aide d’une première gravure sélective, le premier type de couche étant gravé sélectivement par rapport au second type de couche.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)