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1. (WO2016089603) SYSTEM AND METHOD OF SHARED BIT LINE MRAM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/089603    International Application No.:    PCT/US2015/061473
Publication Date: 09.06.2016 International Filing Date: 19.11.2015
Chapter 2 Demand Filed:    08.07.2016    
IPC:
H01L 27/22 (2006.01), G11C 7/18 (2006.01), G11C 11/16 (2006.01)
Applicants: QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventors: ZHU, Xiaochun; (US).
LI, Xia; (US).
KANG, Seung Hyuk; (US)
Agent: CICCOZZI, John L.; (US)
Priority Data:
14/559,528 03.12.2014 US
Title (EN) SYSTEM AND METHOD OF SHARED BIT LINE MRAM
(FR) SYSTÈME ET PROCÉDÉ POUR MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE (MRAM) À LIGNE DE BIT PARTAGÉE
Abstract: front page image
(EN)An STT magnetic memory includes adjacent columns of STT magnetic memory elements having a top electrode and a bottom electrode. A shared bit line is coupled to the top electrode of the STT magnetic memory elements in at least two of the adjacent columns. The bottom electrodes of the STT magnetic memory elements of one of the adjacent columns are selectively coupled to one source line, and the bottom electrodes of the STT magnetic memory elements of another among the adjacent columns are selectively coupled to another source line.
(FR)L'invention porte sur une mémoire magnétique à couple de transfert de spin (STT) qui comprend des colonnes adjacentes d'éléments de mémoire magnétique STT comportant une électrode supérieure et une électrode inférieure. Une ligne de bit partagée est couplée aux électrodes supérieures des éléments de mémoire magnétique STT d'au moins deux des colonnes adjacentes. Les électrodes inférieures des éléments de mémoire magnétique STT de l'une des colonnes adjacentes sont sélectivement couplées à une ligne de source, et les électrodes inférieures des éléments de mémoire magnétique STT d'une autre des colonnes adjacentes sont sélectivement couplées à une autre ligne de source.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)