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1. (WO2016089574) THREE PORT SRAM BIT CELLS WITH FIRST AND SECOND READ WORDLINE AND WRITE WORDLINE ON DIFFERENT METAL LAYERS AND ASSOCIATED LANDING PADS SPLIT ACROSS BOUNDARY EDGES OF EACH SRAM BIT CELL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/089574    International Application No.:    PCT/US2015/060309
Publication Date: 09.06.2016 International Filing Date: 12.11.2015
IPC:
G11C 8/14 (2006.01), G11C 8/16 (2006.01), G11C 11/418 (2006.01), H01L 27/11 (2006.01)
Applicants: QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventors: MOJUMDER, Niladri, Narayan; (US).
SONG, Stanley, Seungchul; (US).
WANG, Zhongze; (US).
RIM, Kern; (US).
YEAP, Choh, Fei; (US)
Agent: TERRANOVA, Steven, N.; (US)
Priority Data:
14/559,258 03.12.2014 US
Title (EN) THREE PORT SRAM BIT CELLS WITH FIRST AND SECOND READ WORDLINE AND WRITE WORDLINE ON DIFFERENT METAL LAYERS AND ASSOCIATED LANDING PADS SPLIT ACROSS BOUNDARY EDGES OF EACH SRAM BIT CELL
(FR) CELLULES BINAIRES D'UNE SRAM À TROIS PORTES, AYANT UNE PREMIÈRE ET UNE SECONDE LIGNES DE MOTS DE LECTURE ET UNE LIGNE DE MOTS D'ÉCRITURE SUR DIFFÉRENTES COUCHES MÉTALLIQUES ET DES PLATEFORMES ASSOCIÉES PARTAGÉES SUR LES BORDS LIMITES DE CHAQUE CELLULE BINAIRE DE SRAM
Abstract: front page image
(EN)Static random access memory (SRAM) bit cells with wordline landing pads (312(1), 312(2), 312(3)) are split across boundary edges of the SRAM bit cells are disclosed. In one aspect, an SRAM bit cell is disclosed employing write wordline (302) in a second metal layer (M2), first read wordline (304) in third metal layer (M4), and second read wordline (306) in fourth metal layer (M4). Employing wordlines in separate metal layers allows wordlines to have wider widths, which decrease wordline resistance, decrease access time, and increase performance of SRAM bit cell. To employ wordlines in separate metal layers, multiple tracks in first metal layer are employed. To couple read wordlines to the tracks to communicate with SRAM bit cell transistors, landing pads are disposed on corresponding tracks inside and outside of a boundary edge of the SRAM bit cell. Landing pads corresponding to the write wordline are placed on corresponding tracks within the boundary edge of the SRAM bit cell.
(FR)Selon l'invention, des cellules binaires d'une mémoire vive statique (SRAM) ayant des plateformes de lignes de mots (312(1), 312(2), 312(3)) sont partagées sur les bords limites des cellules binaires de la SRAM. Selon un aspect, une cellule binaire de SRAM ci-décrite utilise une ligne de mots d'écriture (302) dans une deuxième couche métallique (M2), une première ligne de mots de lecture (304) dans une troisième couche métallique (M3), et une seconde ligne de mots de lecture (306) dans une quatrième couche métallique (M4). L'utilisation de lignes de mots dans des couches métalliques séparées permet d'élargir les lignes de mots, ce qui diminue la résistance des lignes de mots, réduit le temps d'accès et accroît les performances d'une cellule binaire de SRAM. Pour utiliser des lignes de mots dans des couches métalliques séparées, plusieurs pistes dans une première couche métallique sont employées. Pour coupler des lignes de mots de lecture aux pistes afin de communiquer avec des transistors de cellule binaire de SRAM, des plateformes sont disposées sur des pistes correspondantes à l'intérieur et à l'extérieur d'un bord limite de la cellule binaire de SRAM. Des plateformes correspondant à la ligne de mots d'écriture sont placées sur des pistes correspondantes à l'intérieur du bord limite de la cellule binaire de SRAM.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)