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1. (WO2016089544) NON-VOLATILE MEMORY ARRAY WITH CONCURRENTLY FORMED LOW AND HIGH VOLTAGE LOGIC DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/089544    International Application No.:    PCT/US2015/059407
Publication Date: 09.06.2016 International Filing Date: 06.11.2015
IPC:
H01L 29/423 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01)
Applicants: SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 450 Holger Way San Jose, CA 95134 (US)
Inventors: ZHOU, Feng; (US).
LIU, Xian; (US).
DO, Nhan; (US)
Agent: LIMBACH, Alan, A.; (US)
Priority Data:
14/560,475 04.12.2014 US
Title (EN) NON-VOLATILE MEMORY ARRAY WITH CONCURRENTLY FORMED LOW AND HIGH VOLTAGE LOGIC DEVICES
(FR) RÉSEAU MÉMOIRE NON VOLATILE AVEC DISPOSITIFS LOGIQUES À BASSE ET HAUTE TENSION FORMÉS SIMULTANÉMENT
Abstract: front page image
(EN)A memory cell includes source and drain regions in a substrate with a channel region therebetween, an erase gate over the source region, a floating gate over a first channel region portion, a control gate over the floating gate, and a wordline gate over a second channel region portion. A first logic device includes second source and drain regions in the substrate with a second channel region therebetween under a first logic gate. A second logic device includes third source and drain regions in the substrate with a third channel region therebetween under a second logic gate. The wordline gate and the first and second logic gates comprise the same conductive metal material. The second logic gate is insulated from the third channel region by first and second insulation. The first logic gate is insulated from the second channel region by the second insulation and not by the first insulation.
(FR)L'invention concerne une cellule de mémoire comprenant des régions de source et de drain dans un substrat avec une région de canal entre elles, une grille d'effacement au-dessus de la région de source, une grille flottante au-dessus d'une première portion de région de canal, une grille de commande au-dessus de la grille flottante, et une grille de ligne de mots au-dessus d'une deuxième portion de région de canal. Un premier dispositif logique comprend des deuxièmes régions de source et de drain dans le substrat avec une deuxième région de canal entre celles-ci sous une première porte logique. Un deuxième dispositif logique comprend des troisièmes régions de source et de drain dans le substrat avec une troisième zone de canal entre celles-ci sous une deuxième porte logique. La grille de ligne de mots et les première et deuxième portes logiques comprennent le même matériau métallique conducteur. La deuxième porte logique est isolée de la troisième région de canal par une première et une deuxième isolation. La première porte logique est isolée de la deuxième région de canal par la deuxième isolation et pas par la première isolation.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)