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1. (WO2016089254) METHOD OF IONIZING RADIATION SENSOR MANUFACTURING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/089254    International Application No.:    PCT/RU2016/000043
Publication Date: 09.06.2016 International Filing Date: 02.02.2016
IPC:
H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: ELIN, Vladimir Aleksandrovich [RU/RU]; (RU).
MERKIN, Mikhail Moiseevich [RU/RU]; (RU).
GOLUBKOV, Sergei Aleksandrovich [RU/RU]; (RU).
LITOSH, Lubov Grigorievna [RU/RU]; (RU).
RUSINA, Vera Anatolievna [RU/RU]; (RU)
Inventors: ELIN, Vladimir Aleksandrovich; (RU).
MERKIN, Mikhail Moiseevich; (RU).
GOLUBKOV, Sergei Aleksandrovich; (RU).
LITOSH, Lubov Grigorievna; (RU).
RUSINA, Vera Anatolievna; (RU)
Agent: PROZOROVSKIY, Alexander Yurjevich; ul. Nizhnaya Krasnoselskaya, 13 a/ya 265 Moscow, 107078 (RU)
Priority Data:
2014148677 03.12.2014 RU
Title (EN) METHOD OF IONIZING RADIATION SENSOR MANUFACTURING
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CAPTEUR DE RAYONNEMENT IONISANT
Abstract: front page image
(EN)The method of production of the ionizing radiation sensor, whereby the sensor is formed on a polished wafer cut from an ingot of ultra-pure silicon of n-type conductivity, for what the following operations are consistently carried out: the first chemical wafer clean-up in the solution of surface-active agents containing complexons, formation of silicon oxide layer by thermal oxidation in the atmosphere of dry oxygen with the addition of chlorine- containing components, the implantation of the ions of p-type conductivity impurity into the working side of the wafer and the ions of n-type conductivity impurity in the non-working side of the wafer, repeated wafer chemical clean-up, re -implantation of the ions, aluminium layer application on both sides of the wafer, formation of non- rectifying contact by aluminium brazing and a passivating coating depositing on the working side of the wafer, and then two-stage post-implanted annealing. As a result of the method usage, the production of the sensitive element based on the planar technology.
(FR)L'invention concerne un procédé de production de capteur de rayonnement ionisant, avec lequel le capteur est formé sur une tranche polie découpée dans un lingot de silicium ultra-pur de conductivité de type n, dans lequel les opérations suivantes sont mises en œuvre régulièrement : premier nettoyage chimique de la tranche dans la solution d'agents tensioactifs contenant des complexons, formation d'une couche d'oxyde de silicium par oxydation thermique dans une atmosphère d'oxygène sec avec ajout de composants contenant du chlore, implantation des ions d'impureté de conductivité de type p dans le côté de travail de la tranche et les ions d'impureté de conductivité de type n dans le côté qui n'est pas le côté de travail de la tranche à une température qui n'est pas inférieure à 50 °C avec une énergie d'implantation qui n'est pas supérieure à 200 keV et une dose d'implantation qui n'est pas supérieure à 1 000 μC/cm2, répétition du nettoyage chimique répété de la tranche dans la solution d'agents tensioactifs contenant des complexons, de la formation d'une couche d'oxyde de silicium par oxydation thermique dans une atmosphère d'oxygène sec avec ajout de composants contenant du chlore.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)