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1. (WO2016088732) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/088732    International Application No.:    PCT/JP2015/083679
Publication Date: 09.06.2016 International Filing Date: 01.12.2015
IPC:
H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/02 (2010.01), H01L 33/12 (2010.01)
Applicants: USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 2-6-1, Ote-machi, Chiyoda-ku, Tokyo 1008150 (JP)
Inventors: MIYOSHI, Kohei; (JP)
Agent: UNIUS PATENT ATTORNEYS OFFICE; First Shin-Osaka MT Bldg. 2nd Floor, 5-13-9 Nishinakajima, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
Priority Data:
2014-244841 03.12.2014 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体発光素子
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor light emitting device having a main emission wavelength equal to or greater than 520 nm, wherein the intensity of light having a wavelength shorter than the main emission wavelength is suppressed. This semiconductor light emitting device having a main emission wavelength equal to or greater than 520 nm is provided with: an n-type semiconductor layer; an active layer formed of a semiconductor that is formed on an upper layer of the n-type semiconductor layer; a p-type semiconductor layer formed on an upper layer of the active layer; and a light absorption layer formed between the n-type semiconductor layer and p-type semiconductor layer and formed of a semiconductor that absorbs light having at least any one wavelength included in a wavelength band from 400 nm to 440 nm.
(FR)Dans ce dispositif électroluminescent à semi-conducteurs ayant une longueur d'onde d'émission principale égale ou supérieure à 520 nm, on réalise un dispositif électroluminescent qui supprime l'intensité de lumière ayant une longueur d'onde plus courte que la longueur d'onde d'émission principale. Ce dispositif électroluminescent à semi-conducteurs ayant une longueur d'onde d'émission principale égale ou supérieure à 520 nm comprend: une couche semi-conductrice de type n; une couche active constituée d'un semi-conducteur qui est formé sur une couche supérieure de la couche semi-conductrice de type n; une couche semi-conductrice de type p formée sur une couche supérieure de la couche active; et une couche d'absorption de lumière formée entre la couche semi-conductrice de type n et la couche semi-conductrice de type p et constituée d'un semi-conducteur qui absorbe la lumière ayant au moins une longueur d'onde quelconque comprise dans une bande de longueur d'onde de 400 nm à 440 nm.
(JA) 主たる発光波長が520nm以上の半導体発光素子において、当該主たる発光波長よりも短波長の光強度を抑制した発光素子を実現する。 主たる発光波長が520nm以上の半導体発光素子であって、n型半導体層と、n型半導体層の上層に形成された、半導体からなる活性層と、活性層の上層に形成されたp型半導体層と、n型半導体層とp型半導体層の間に形成され、400nm以上440nm以下の波長帯に含まれる少なくともいずれかの波長の光を吸収する、半導体からなる光吸収層とを備えている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)