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1. (WO2016088696) GROUP 13 ELEMENT NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE AND FUNCTION ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/088696    International Application No.:    PCT/JP2015/083529
Publication Date: 09.06.2016 International Filing Date: 30.11.2015
IPC:
C30B 29/38 (2006.01), C30B 19/02 (2006.01), C30B 25/20 (2006.01)
Applicants: NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530 (JP)
Inventors: IWAI Makoto; (JP).
YOSHINO Takashi; (JP)
Agent: HOSODA Masutoshi; (JP)
Priority Data:
2014-243135 01.12.2014 JP
Title (EN) GROUP 13 ELEMENT NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE AND FUNCTION ELEMENT
(FR) SUBSTRAT DE CRISTAL DE NITRURE D'ÉLÉMENT DU GROUPE 13 ET ÉLÉMENT DE FONCTIONNEMENT
(JA) 13族元素窒化物結晶基板および機能素子
Abstract: front page image
(EN)This crystal substrate 2 is formed of a group 13 element nitride crystal, and has a first main surface 2a and a second main surface 2b. A low carrier concentration region 4 and a high carrier concentration region 5 extend between the first main surface 2a and the second main surface 2b. The carrier concentration of the low carrier concentration region 4 is 1018/cm3 or less, and the defect density of the low carrier concentration region 4 is 107/cm2 or less. The carrier concentration of the high carrier concentration region 5 is 1019/cm3 or more, and the defect density of the high carrier concentration region 5 is 108/cm2 or more.
(FR)Selon l'invention, ce substrat 2 de cristal est formé d'un cristal de nitrure d'élément du groupe 13 et présente une première surface principale 2a et une deuxième surface principale 2b. Une région 4 à faible concentration en porteurs et une région 5 à concentration élevée en porteurs s'étendent entre la première surface principale 2a et la deuxième surface principale 2b. La concentration en porteurs de la région 4 à faible concentration en porteurs est de 1018/cm3 ou moins et la densité de défauts de la région 4 à faible concentration en porteurs est de 107/cm2 ou moins. La concentration en porteurs de la région 5 à concentration élevée en porteurs est de 1019/cm3 ou plus et la densité de défauts de la région 5 à concentration élevée en porteurs est de 108/cm2 ou plus.
(JA)結晶基板2は、13族元素窒化物結晶からなり、第一の主面2aおよび第二の主面2bを有する。第一の主面2aと第二の主面2bとの間に、低キャリア濃度領域4と高キャリア濃度領域5とが伸びている。低キャリア濃度領域4のキャリア濃度が1018/cm以下であり、低キャリア濃度領域4の欠陥密度が10/cm以下である。高キャリア濃度領域5のキャリア濃度が1019/cm以上であり、高キャリア濃度領域6の欠陥密度が10/cm以上である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)