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1. (WO2016088491) METHOD FOR MANAGING FILM QUALITY OF OXIDE SEMICONDUCTOR THIN-FILM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/088491    International Application No.:    PCT/JP2015/080628
Publication Date: 09.06.2016 International Filing Date: 29.10.2015
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), G01N 22/00 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO(KOBE STEEL, LTD.) [JP/JP]; 2-4, Wakinohama-Kaigandori 2-chome, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6518585 (JP)
Inventors: TAO, Hiroaki; (--).
OCHI, Mototaka; (--).
KUGIMIYA, Toshihiro; (--).
KAWAKAMI, Nobuyuki; (--).
HAYASHI, Kazushi; (--)
Agent: UEKI, Kyuichi; (JP)
Priority Data:
2014-244479 02.12.2014 JP
Title (EN) METHOD FOR MANAGING FILM QUALITY OF OXIDE SEMICONDUCTOR THIN-FILM
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE GÉRER LA QUALITÉ FILMOGÈNE D'UNE COUCHE MINCE SEMI-CONDUCTRICE À BASE D'OXYDE
(JA) 酸化物半導体薄膜の膜質管理方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a method capable of performing qualitative or quantitative determination of the quality of a BCE step or the quality of a passivation insulating film after the BCE step in a contactless and non-destructive manner. A method for indirectly monitoring a change in a surface of an oxide semiconductor thin-film that is caused when a metal thin-film on a channel region of a thin-film transistor is removed by patterning, by wet etching or dry etching, the metal thin film directly layered on the oxide semiconductor thin-film formed on a substrate comprises irradiating the oxide semiconductor thin-film surface with laser light, and monitoring a conductivity change of the oxide semiconductor thin-film as a microwave reflectivity change.
(FR)La présente invention concerne un procédé capable de déterminer qualitativement ou quantitativement la qualité d'une étape de BCE ou la qualité d'un film isolant de passivation après l'étape de BCE de manière non destructrice et sans contact. L'invention concerne également un procédé pour la surveillance indirecte de tout changement à la surface d'une couche mince semi-conductrice à base d'oxyde qui est provoqué lorsqu'une couche mince métallique sur une région de canal d'un transistor à couches minces est éliminée par formation d'un motif, par gravure humide ou gravure sèche, la couche mince métallique directement stratifiée sur la couche mince semi-conductrice à base d'oxyde formée sur un substrat comprend l'irradiation de la surface la couche mince semi-conductrice à base d'oxyde avec une lumière laser et la surveillance de tout changement de conductivité de la couche mince semi-conductrice à base d'oxyde en tant que changement de réflectivité des hyperfréquences.
(JA) BCE工程の優劣、またはBCE工程後のパッシベーション絶縁膜の優劣を、非接触・非破壊で、定性的または定量的に行うことが可能な方法を提供する。基板上に形成された酸化物半導体薄膜上に直接積層された金属薄膜を、ウェットエッチングもしくはドライエッチングによってパターニングして薄膜トランジスタのチャネル領域上の金属薄膜を除去する際に生じる酸化物半導体薄膜表面の変化を間接的にモニタリングする方法であって、前記酸化物半導体薄膜表面に対し、レーザー光を照射して前記酸化物半導体薄膜の導電率変化をマイクロ波の反射率変化としてモニタリングする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)