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1. (WO2016088348) III NITRIDE SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/088348    International Application No.:    PCT/JP2015/005940
Publication Date: 09.06.2016 International Filing Date: 30.11.2015
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/04 (2006.01), C30B 29/38 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
Applicants: DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD. [JP/JP]; 4-14-1, Sotokanda, Chiyoda-ku, Tokyo 1010021 (JP)
Inventors: IKUTA, Tetsuya; (JP).
KOSHIKA, Yuta; (JP)
Agent: SUGIMURA, Kenji; (JP)
Priority Data:
2014-246061 04.12.2014 JP
Title (EN) III NITRIDE SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) SUBSTRAT ÉPITAXIAL SEMI-CONDUCTEUR À NITRURE DE CLASSE III ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) III族窒化物半導体エピタキシャル基板およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided are a III nitride semiconductor epitaxial substrate and a method for manufacturing the same capable of suppressing particle deposits on the principle plane of a III nitride semiconductor epitaxial substrate. This III nitride semiconductor epitaxial substrate has a silicon substrate, a main laminate (30) formed by epitaxial growth of a plurality of III nitride layers on the main surface of the silicon substrate (20), and a silicon nitride film (40) for covering the main laminate (30) and the silicon substrate (20), and is characterized in that the silicon nitride film (40) directly covers only the external peripheral part (22) of the silicon substrate (20) on the reverse surface side of the silicon substrate (20) and the silicon substrate (20) is exposed in a region (21) excluding the external peripheral part (22) on the reverse surface side.
(FR)La présente invention concerne un substrat épitaxial semi-conducteur à nitrure de classe III et son procédé de fabrication capable de supprimer des dépôts de particule sur le plan principal d'un substrat épitaxial semi-conducteur à nitrure de classe III. Ce substrat épitaxial semi-conducteur à nitrure de classe III a un substrat en silicium, un empilement principal (30) formé par croissance épitaxiale d'une pluralité de couches de nitrure de classe III sur la surface principale du substrat en silicium (20), et un film de nitrure de silicium (40) pour recouvrir l'empilement principal (30) et le substrat en silicium (20), et est caractérisé en ce que le film de nitrure de silicium (40) recouvre directement uniquement la partie périphérique externe (22) du substrat en silicium (20) sur la surface opposée du substrat en silicium (20) et le substrat en silicium (20) est découvert dans une région (21) excluant la partie périphérique externe (22) sur la surface opposée.
(JA) III族窒化物半導体エピタキシャル基板の主面へのパーティクル付着を抑制することが可能なIII族窒化物半導体エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。 本発明のIII族窒化物半導体エピタキシャル基板は、シリコン基板と、シリコン基板20の主面上に、複数層のIII族窒化物層がエピタキシャル成長して形成された主積層体30と、主積層体30およびシリコン基板20を被覆する窒化シリコン膜40と、を有し、シリコン基板20の裏面側では、窒化シリコン膜40がシリコン基板20の外周部22のみを直接被覆し、かつ、前記裏面側の外周部22を除く領域21でシリコン基板20が露出することを特徴とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)