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1. (WO2016087542) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR FABRICATING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/087542    International Application No.:    PCT/EP2015/078403
Publication Date: 09.06.2016 International Filing Date: 02.12.2015
IPC:
H01L 27/15 (2006.01), H01L 33/50 (2010.01), H01L 33/60 (2010.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventors: GÖÖTZ, Britta; (DE).
WEGLEITER, Walter; (DE).
GRÖTSCH, Stefan; (DE)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Priority Data:
10 2014 117 902.1 04.12.2014 DE
10 2015 103 055.1 03.03.2015 DE
Title (DE) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR FABRICATING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Abstract: front page image
(DE)Es ist ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (100) angegeben, das einen Halbleiterchip (1) mit einer Hauptseite (10) aufweist, wobei die Hauptseite (10) eine Mehrzahl von nebeneinander angeordneten Emissionsfeldern (11) umfasst. Die Emissionsfelder (11) sind einzeln und unabhängig voneinander ansteuerbar und über sie wird im Betrieb jeweils Strahlung aus dem Halbleiterchip (1) ausgekoppelt. Auf die Hauptseite (10) sind reflektierende Trennwände (20) aufgebracht, die zwischen benachbarten Emissionsfeldern (11) angeordnet sind und die Emissionsfelder (11) in Draufsicht auf die Hauptseite (10) zumindest teilweise umgeben. Ferner ist auf die Hauptseite (10) ein Konversionselement (4) mit einer dem Halbleiterchip (1) zugewandten Unterseite (41) und einer abgewandten Oberseite (42) aufgebracht. Die Trennwände (20) sind aus einem von dem Halbleitermaterial des Halbleiterchips (1) unterschiedlichen Material gebildet und überragen den Halbleiterchip (1) in Richtung weg von der Hauptseite (10). Das Konversionselement (4) überdeckt zumindest ein Emissionsfeld (11) zumindest teilweise und ist mit diesem Emissionsfeld (11) mechanisch stabil verbunden. Die Unterseite (41) des Konversionselements (4) im Bereich des überdeckten Emissionsfeldes (11) überragt die Trennwände (20) in eine Richtung weg von der Hauptseite (10) um höchstens 10 % der Höhe der Trennwände (20).
(EN)An optoelectronic semiconductor component (100) is specified that has a semiconductor chip (1) having a main side (10), the main side (10) comprising a plurality of emission fields (11) that are arranged next to one another. The emission fields (11) are individually and independently actuatable and, during operation, they are each used to couple radiation out of the semiconductor chip (1). The main side (10) has reflective partitions (20) mounted on it that are arranged between adjacent emission fields (11) and at least partially surround the emission fields (11) in a plan view of the main side (10). In addition, the main side (10) has a conversion element (4) mounted on it, having an underside (41), which faces the semiconductor chip (1), and an averted top (42). The partitions (20) are formed from a different material from the semiconductor material of the semiconductor chip (1) and jut out from the semiconductor chip (1) in a direction away from the main side (10). The conversion element (4) covers at least one emission field (11) at least partially and is connected to said emission field (11) in a mechanically robust fashion. The underside (41) of the conversion element (4) in the region of the covered emission field (11) juts out from the partitions (20) in a direction away from the main side (10) by no more than 10% of the height of the partitions (20).
(FR)L’invention concerne un composant semi-conducteur optoélectronique (100) qui comprend une puce semi-conductrice (1) pourvue d’un côté principal (10), le côté principal (10) comportant une pluralité de zones d'émission (11) juxtaposées. Les zones d'émission (11) sont commandables individuellement et indépendamment l'une de l'autre et permettent chacune de découpler un rayonnement provenant de la puce semi-conductrice (1) pendant le fonctionnement. Sur le côté principal (10) sont montées des parois de séparation réfléchissantes (20) qui sont disposées entre des zones d'émission (11) adjacentes et qui entourent au moins partiellement les zones d'émission (11) en vue de dessus du côté principal (10). En outre, un élément de conversion (4), pourvu d’un côté inférieur (41) tourné vers la puce semi-conductrice (1) et d’un côté supérieur (42) opposé, est monté sur le côté principal (10). Les parois de séparation (20) sont formées partir d'une matière différente de la matière semi-conductrice de la puce semi-conductrice et font saillie de la puce semi-conductrice (1) dans la direction opposée au côté principal (10). L'élément de conversion (4) recouvre au moins une zone d'émission (11) au moins partiellement et est relié de manière mécaniquement stable à cette zone d'émission (11). Le côté inférieur (41) de l'élément de conversion (4) au niveau de la zone d'émission (11) recouverte fait saillie des parois de séparation (20) dans une direction opposée au côté principal (10) au maximum de 10% de la hauteur des parois de séparation (20).
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Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)