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1. (WO2016086841) ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS FOR SILICON DIOXIDE SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/086841    International Application No.:    PCT/CN2015/096128
Publication Date: 09.06.2016 International Filing Date: 01.12.2015
IPC:
H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01)
Applicants: BEIJING NAURA MICROELECTRONICS EQUIPMENT CO., LTD. [CN/CN]; No. 8 Wenchang Avenue Beijing Economic-Technological Development Area, Beijing 100176 (CN)
Inventors: ZHOU, Na; (CN)
Agent: TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; Tianshu ZHANG 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005 (CN)
Priority Data:
201410742698.4 04.12.2014 CN
Title (EN) ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS FOR SILICON DIOXIDE SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE GRAVURE POUR SUBSTRAT DE DIOXYDE DE SILICIUM
(ZH) 二氧化硅基片的刻蚀方法和刻蚀设备
Abstract: front page image
(EN)An etching method for a silicon dioxide substrate. The etching method comprises: S1, forming a mask pattern (200) on the surface of a silicon dioxide substrate (100), where the mask pattern (200) comprises a first groove (200a); S2, cooling the silicon dioxide substrate (100) and introducing a deposition process gas into a process chamber to form a passivation layer (300) on the sidewalls and the bottom of the first groove (200a); S3, warming the silicon dioxide substrate (100) and introducing a primary etching gas into the process chamber to etch the bottom of the first groove (200a); and, repeatedly executing step S2 and step S3 until a second groove having a predetermined depth-to-width ratio is formed at a position on the silicon dioxide substrate (100) corresponding to the first groove (200a). Also provided is an etching apparatus. The etching apparatus is structurally simple and inexpensive. Utilization of the etching method executed by the etching apparatus for etching the silicon dioxide substrate allows costs for the etching process to be reduced.
(FR)La présente invention concerne un procédé de gravure pour un substrat de dioxyde de silicium. Le procédé de gravure consiste à : S1, former un motif de masque (200) sur la surface d'un substrat de dioxyde de silicium (100), à l'endroit où le motif de masque (200) comprend une première rainure (200a); S2, refroidir le substrat de dioxyde de silicium (100) et introduire un gaz de traitement de dépôt dans une chambre de traitement afin de former une couche de passivation (300) sur les parois latérales et le fond de la première rainure (200a); S3, réchauffer le substrat de dioxyde de silicium (100) et introduire un gaz de gravure primaire dans la chambre de traitement pour graver le fond de la première rainure (200a); et, effectuer de manière répétitive l'étape S2 et l'étape S3 jusqu'à ce qu'une seconde rainure présentant un rapport profondeur-largeur prédéfini soit formée au niveau d'une position sur le substrat de dioxyde de silicium (100) correspondant à la première rainure (200a). L'invention concerne également un appareil de gravure. L'appareil de gravure est structurellement simple et peu coûteux. L'utilisation du procédé de gravure réalisé par l'appareil de gravure pour graver le substrat de dioxyde de silicium permet de réduire les coûts du procédé de gravure.
(ZH)一种二氧化硅基片的刻蚀方法,该刻蚀方法包括:S1、在二氧化硅基片(100)表面形成掩模图形(200),掩模图形(200)包括第一槽(200a);S2、对二氧化硅基片(100)进行降温,并向工艺腔内通入沉积工艺气体,以在第一槽(200a)的侧壁和底部形成钝化层(300);S3、对二氧化硅基片(100)进行升温,并向工艺腔内通入主刻蚀气体,以对第一槽(200a)的底部进行刻蚀;重复执行步骤S2和步骤S3,直至二氧化硅基片(100)上对应于第一槽(200a)的位置形成具有预定深宽比的第二槽为止。还提供一种刻蚀设备。该刻蚀设备结构简单,成本较低,利用该刻蚀设备执行的刻蚀方法刻蚀二氧化硅基片可以降低刻蚀工艺的成本。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)