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1. (WO2016086690) METHOD FOR MANUFACTURING MEMS DOUBLE-LAYER SUSPENSION MICROSTRUCTURE, AND MEMS INFRARED DETECTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/086690    International Application No.:    PCT/CN2015/087594
Publication Date: 09.06.2016 International Filing Date: 20.08.2015
IPC:
B81B 7/02 (2006.01), B81C 1/00 (2006.01)
Applicants: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD. [CN/CN]; No.8 Xinzhou Road Wuxi New District, Jiangsu 214028 (CN)
Inventors: JING, Errong; (CN)
Agent: ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE; Room 3901, No. 85 Huacheng Avenue, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510623 (CN)
Priority Data:
201410723696.0 02.12.2014 CN
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING MEMS DOUBLE-LAYER SUSPENSION MICROSTRUCTURE, AND MEMS INFRARED DETECTOR
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MICROSTRUCTURE DE MICROSYSTÈME ÉLECTROMÉCANIQUE SUSPENDUE À DOUBLE COUCHE ET DÉTECTEUR INFRAROUGE À MICROSYSTÈME ÉLECTROMÉCANIQUE
(ZH) MEMS双层悬浮微结构的制作方法和MEMS红外探测器
Abstract: front page image
(EN)A method for manufacturing an MEMS double-layer suspension microstructure comprises steps of: forming a first film body (310) on a substrate (100), and a cantilever beam (320) connected to the substrate (100) and the first film body (310); forming a sacrificial layer (400) on the first film body (310) and the cantilever beam (320); patterning the sacrificial layer (400) located on the first film body (310) to manufacture a recessed portion (410) used for forming a support structure (520), the bottom of the recessed portion (410) being exposed of the first film body (310); depositing a dielectric layer (500) on the sacrificial layer (400); patterning the dielectric layer (500) to manufacture a second film body (510) and the support structure (520), the support structure (520) being connected to the first film body (310) and the second film body (510); and removing the sacrificial layer (400) to obtain the MEMS double-layer suspension microstructure.
(FR)Cette invention concerne un procédé de fabrication d'une microstructure de microsystème électromécanique suspendue à double couche, comprenant les étapes consistant à : former un premier corps de film (310) sur un substrat (100), et un montant en porte-à-faux (320) relié au substrat (100) et au premier corps de film (310) ; former une couche sacrificielle (400) sur le premier corps de film (310) et le montant en porte-à-faux (320) ; former des motifs sur la couche sacrificielle (400) disposée sur le premier corps de film (310) pour fabriquer une partie renfoncée (410) conçue pour former une structure de support (520), le fond de la partie renfoncée (410) étant exposé par rapport au premier corps de film (310) ; déposer une couche diélectrique (500) sur la couche sacrificielle (400) ; former des motifs sur la couche diélectrique (500) pour fabriquer un second corps de film (510) et la structure de support (520), la structure de support (520) étant reliée au premier corps de film (310) et au second corps de film (510) ; et éliminer la couche sacrificielle (400) pour obtenir la microstructure de microsystème électromécanique suspendue à double couche.
(ZH)一种MEMS双层悬浮微结构的制作方法,包括步骤:在基片(100)上形成第一膜体(310),及连接基片(100)和第一膜体(310)的悬臂梁(320);在第一膜体(310)和悬臂梁(320)上形成牺牲层(400);将位于第一膜体(310)上的牺牲层(400)图形化以制作出用于形成支撑结构(520)的凹部(410),所述凹部(410)的底部暴露出第一膜体(310);在牺牲层(400)上淀积介质层(500);将介质层(500)图形化以制作出第二膜体(510)和所述支撑结构(520),所述支撑结构(520)连接第一膜体(310)和第二膜体(510);以及去除所述牺牲层(400),得到MEMS双层悬浮微结构。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)