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1. (WO2016086687) THIN FILM TRANSISTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DISPLAY APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/086687    International Application No.:    PCT/CN2015/087018
Publication Date: 09.06.2016 International Filing Date: 14.08.2015
IPC:
H01L 21/77 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Applicants: BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District, Beijing 100015 (CN).
CHONGQING BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No.7 Yunhan Rd, Shuitu Hi-tech industrial Zone, Beibei District Chongqing 400714 (CN)
Inventors: WANG, Wu; (CN).
QIU, Haijun; (CN).
SHANG, Fei; (CN).
WANG, Guolei; (CN)
Agent: TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; Yuan CHEN 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District, Beijing 100005 (CN)
Priority Data:
201410729803.0 03.12.2014 CN
Title (EN) THIN FILM TRANSISTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DISPLAY APPARATUS
(FR) DISPOSITIF DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET APPAREIL D'AFFICHAGE
Abstract: front page image
(EN)Various embodiments provide a thin film transistor (TFT) device, a manufacturing method of the TFT device, and a display apparatus including the TFT device. An etch stop layer (ESL) material (5) is formed on an active layer (4) on a substrate (1). An electrical conductive layer material is formed on the ESL material (5) for forming a source electrode and a drain electrode. The electrical conductive layer material is patterned to form a first portion of the source electrode (61) containing a first via-hole (91a) through the source electrode, and to form a first portion of the drain electrode (62) containing a second via-hole (92a) through the drain electrode. The ESL material (5) is patterned to form an etch stop layer (ESL) pattern including a first ESL via-hole (91b) connecting to the first via-hole (91a) through the source electrode and including a second ESL via-hole (92b) connecting to the second via-hole (92a) through the drain electrode.
(FR)L'invention porte, selon divers modes de réalisation, sur un dispositif de transistor à couches minces (TFT pour Thin Film Transistor), sur un procédé de fabrication du dispositif de transistor TFT et sur un appareil d'affichage comprenant le dispositif de transistor TFT. Un matériau de couche d'arrêt de gravure (ESL pour Etch Stop Layer) (5) est formé sur une couche active (4) sur un substrat (1). Un matériau de couche électroconductrice est formé sur le matériau de couche ESL (5) afin de former une électrode source et une électrode déversoir. Le matériau de couche électroconductrice est modelé de sorte à former une première partie de l'électrode source (61) contenant un premier trou d'interconnexion (91a) à travers l'électrode source, et à former une première partie de l'électrode déversoir (62) contenant un second trou d'interconnexion (92a) à travers l'électrode déversoir. Le matériau de couche ESL (5) est modelé de sorte à former un motif de couche d'arrêt de gravure (ESL) comprenant un premier trou d'interconnexion de couche ESL (91b) qui est relié au premier trou d'interconnexion (91a) à travers l'électrode source et comprenant un second trou d'interconnexion de couche ESL (92b) qui est relié au second trou d'interconnexion (92a) à travers l'électrode déversoir.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)