WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2016086617) SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/086617    International Application No.:    PCT/CN2015/079271
Publication Date: 09.06.2016 International Filing Date: 19.05.2015
IPC:
H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventors: LI, Yanzhao; (CN).
QIAO, Yong; (CN).
WANG, Long; (CN).
LU, Yongchun; (CN)
Agent: CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.; Suite 4-1105, No. 87, West 3rd Ring North Rd., Haidian District Beijing 100089 (CN)
Priority Data:
201410727562.6 03.12.2014 CN
Title (EN) SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 太阳能电池及其制备方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed are a solar cell and a manufacturing method therefor. The manufacturing method comprises the following steps: forming a first electrode layer (2) on a substrate (1); forming a first conductive-type semiconductor film thin (3) on the first electrode layer (2); forming a germanium thin film on the first conductive-type semiconductor thin film (3), and topologizing the germanium thin film through functional elements, so as to acquire a second conductive-type semiconductor thin film (4) with a topological insulator characteristic, the first conductive-type semiconductor thin film (3) being matched with the second conductive-type semiconductor thin film (4) with a topological insulator characteristic so as to form a p-n junction; and forming a second electrode layer (5) on the second conductive-type semiconductor thin film (4). The solar cell manufactured by the manufacturing method has high electrical energy conversion efficiency.
(FR)Cette invention concerne une cellule solaire et son procédé de fabrication. Ledit procédé de fabrication comprend les étapes suivantes consistant à : former une première couche d'électrode (2) sur un substrat (1) ; former un film mince semi-conducteur d'un premier type de conductivité (3) sur la première couche d'électrode (2) ; former un film mince de germanium sur le film mince semi-conducteur d'un premier type de conductivité (3) et effectuer la configuration topologique du film mince de germanium par l'intermédiaire d'éléments fonctionnels, de façon à obtenir un film mince semi-conducteur d'un second type de conductivité (4) avec une caractéristique d'isolant topologique, le film mince semi-conducteur d'un premier type de conductivité (3) étant mis en correspondance avec le film mince semi-conducteur d'un second type de conductivité (4) avec une caractéristique d'isolant topologique de manière à former une jonction p-n ; et former une seconde couche d'électrode (5) sur le film mince semi-conducteur d'un second type de conductivité (4). La cellule solaire fabriquée par le procédé de fabrication selon l'invention présente une haute efficacité de conversion de l'énergie électrique.
(ZH)一种太阳能电池及其制备方法,该制备方法包括以下步骤:在衬底(1)上形成第一电极层(2);在第一电极层(2)上形成第一导电类型的半导体薄膜(3);在第一导电类型的半导体薄膜(3)上形成锗薄膜,利用功能化元素对锗薄膜进行拓扑化处理,以获得具有拓扑绝缘体特性的第二导电类型的半导体薄膜(4),所述第一导电类型的半导体薄膜(3)与具有拓扑绝缘体特性的第二导电类型的半导体薄膜(4)配合形成p-n结;在第二导电类型的半导体薄膜(4)上形成第二电极层(5)。通过该制备方法制备的太阳能电池的电能转化效率较高。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)