WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2016086568) ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND DISPLAY DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/086568    International Application No.:    PCT/CN2015/076777
Publication Date: 09.06.2016 International Filing Date: 16.04.2015
IPC:
H01L 21/77 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Applicants: BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventors: CHEN, Jiangbo; (CN).
WANG, Can; (CN).
WANG, Huifeng; (CN).
SONG, Wenfeng; (CN)
Agent: LIU, SHEN & ASSOCIATES; 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road Haidian District Beijing 100080 (CN)
Priority Data:
201410723212.2 02.12.2014 CN
Title (EN) ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT MATRICIEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 阵列基板及其制作方法、显示装置
Abstract: front page image
(EN)An array substrate and a manufacturing method therefor, and a display device. The array substrate comprises an underlayer (10), and a first thin film transistor (21) and a first electrode (40) that are formed on the underlayer (10). The first thin film transistor (21) comprises a gate (200), an active layer (202), a source (205) and a drain (204). The first electrode (40) is electrically connected to the drain (204) of the first thin film transistor (21), and at least covers the area of the active layer (202), not overlapped with the source (205) and the drain (204), of the first thin film transistor. The first electrode can absorb ultraviolet light. The array substrate can alleviate the problem that the display performance of a display device is reduced due to performance degradation or even performance failure of a thin film transistor under irradiation of ultraviolet light.
(FR)La présente invention concerne un substrat matriciel et son procédé de fabrication, et un dispositif d'affichage. Le substrat matriciel comprend une sous-couche (10), et un premier transistor à couches minces (21) et une première électrode (40) qui sont formés sur la sous-couche (10). Le premier transistor à couches minces (21) comprend une grille (200), une couche active (202), une source (205) et un drain (204). La première électrode (40) est connectée électriquement au drain (204) du premier transistor à couches minces (21), et recouvre au moins la zone de la couche active (202) du premier transistor à couches minces qui n'est pas chevauchée par la source (205) ni par le drain (204). La première électrode peut absorber la lumière ultraviolette. Le substrat matriciel peut atténuer le problème de réduction des performances d'affichage d'un dispositif d'affichage dû à une dégradation des performances ou même à un dysfonctionnement d'un transistor à couches minces lorsqu'il est exposé à de la lumière ultraviolette.
(ZH)一种阵列基板及其制作方法、显示装置。该阵列基板包括衬底(10)以及形成在所述衬底(10)上的第一薄膜晶体管(21)和第一电极(40),所述第一薄膜晶体管(21)包括栅极(200)、有源层(202)、源极(205)和漏极(204),所述第一电极(40)与所述第一薄膜晶体管(21)的漏极(204)电连接,且至少覆盖所述第一薄膜晶体管的有源层(202)未与所述源极(205)和所述漏极(204)交叠的区域,所述第一电极能够吸收紫外光。该阵列基板可改善因薄膜晶体管受到紫外光照射而导致性能降低甚至失效,进而降低显示装置的显示性能的问题。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)