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1. (WO2016086511) METHOD FOR PREPARING SELF-PASSIVATING QUANTUM DOTS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/086511    International Application No.:    PCT/CN2015/070161
Publication Date: 09.06.2016 International Filing Date: 06.01.2015
IPC:
C09K 11/88 (2006.01)
Applicants: SHANGHAI JIAO TONG UNIVERSITY [CN/CN]; No.800 Dongchuan Road, Minhang District Shanghai 200240 (CN)
Inventors: LI, Liang; (CN).
LI, Zhichun; (CN)
Agent: SHANGHAI KESHENG INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY LTD.; Tower 1, Unit 25C-D No.2601 Xietu Road, Xuhui District Shanghai 200030 (CN)
Priority Data:
201410741933.6 05.12.2014 CN
Title (EN) METHOD FOR PREPARING SELF-PASSIVATING QUANTUM DOTS
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE POINTS QUANTIQUES AUTO-PASSIVANTS
(ZH) 一种自钝化量子点的制备方法
Abstract: front page image
(EN)A method for preparing self-passivating quantum dots, comprising: adding quantum dot cores and a solvent to a reaction vessel, and controlling the temperature and vacuumizing; introducing an inert gas into the reaction vessel; using a successive ionic layer absorption and reaction method, injecting a solution of a clad material precursor into the reaction vessel to clad the quantum dot cores so as to obtain quantum dots doped with a self-passivating element M (M=Al, Zr, Fe, Ti, Cr, Ta, Si or Ni); the quantum dot cores are quantum dot cores already doped with M or quantum dot cores not doped with M, and when cladding the quantum dots, the clad material precursor contains an M precursor or does not contain an M precursor; and when the quantum dot cores are the quantum dot cores not doped with M, the clad material precursor contains the M precursor, the prepared quantum dots have a relatively good morphology, and the light stability is improved significantly.
(FR)L'invention concerne un procédé de préparation de points quantiques auto-passivants, consistant à ajouter des noyaux de points quantiques et un solvant à une cuve de réaction, et à commander la température de mise sous vide ; à introduire un gaz inerte dans la cuve de réaction ; à utiliser un procédé de réaction et d'absorption de couches ioniques successives ; à injecter une solution d'un précurseur de matériau d'enrobage dans la cuve de réaction pour enrober les noyaux de points quantiques de manière à obtenir des points quantiques à auto-passivation dopés avec un élément auto-passivant M (M = Al, Zr, Fe, Ti, Cr, Ta, Si ou Ni). Les noyaux de points quantiques sont dopés ou non avec M, et lorsque les points quantiques sont enrobés, le matériau précurseur d'enrobage contient ou non un précurseur de M ; et lorsque les noyaux de points quantiques sont des noyaux non dopés avec M, le précurseur de matériau d'enrobage contient le précurseur de M, les points quantiques préparés présentant une morphologie relativement satisfaisante, et la stabilité à la lumière étant améliorée de manière significative.
(ZH)一种自钝化量子点的制备方法,将量子点核、溶剂加入反应容器,控制温度抽真空;向反应容器中充入惰性气体;采用连续离子层吸附反应法,将包覆材料前驱体溶液注入反应容器对量子点核进行包覆,得到自钝化元素M(M=Al、Zr、Fe、Ti、Cr、Ta、Si、Ni)掺杂的量子点;量子点核为已掺杂M的量子点核或未掺杂M的量子点核,在对量子点进行包覆时,包覆材料前驱体中含有M前驱体或不含有M前驱体;量子点核为未进行M掺杂的量子点核时,包覆材料前驱体中含有M前驱体,制备得到的量子点形貌较好,光稳定性显著提高。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)