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1. (WO2016085590) ELECTRODE CONFIGURATIONS TO INCREASE ELECTRO-THERMAL ISOLATION OF PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENTS AND ASSOCIATED TECHNIQUES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/085590    International Application No.:    PCT/US2015/056757
Publication Date: 02.06.2016 International Filing Date: 21.10.2015
IPC:
H01L 45/00 (2006.01), H01L 45/02 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: PELLIZZER, Fabio; (US).
ALBINI, Giulio; (US).
RUSSELL, Stephen W.; (US).
HINEMAN, Max F.; (US).
RANGAN, Sanjay; (US)
Agent: RASKIN, Vladimir; (US)
Priority Data:
14/552,205 24.11.2014 US
Title (EN) ELECTRODE CONFIGURATIONS TO INCREASE ELECTRO-THERMAL ISOLATION OF PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENTS AND ASSOCIATED TECHNIQUES
(FR) CONFIGURATIONS D'ÉLECTRODE POUR AUGMENTER L'ISOLATION ÉLECTRO-THERMIQUE D'ÉLÉMENTS DE MÉMOIRE À CHANGEMENT DE PHASE, ET TECHNIQUES ASSOCIÉES
Abstract: front page image
(EN)Embodiments of the present disclosure describe electrode configurations to increase electro-thermal isolation of phase-change memory elements and associated techniques. In an embodiment, an apparatus includes a plurality of phase-change memory (PCM) elements, wherein individual PCM elements of the plurality of PCM elements include a phase-change material layer, a first electrode layer disposed on the phase-change material layer and in direct contact with the phase-change material layer, and a second electrode layer disposed on the first electrode layer and in direct contact with the first electrode layer. Other embodiments may be described and/or claimed.
(FR)Selon des modes de réalisation, la présente invention concerne des configurations d'électrode pour augmenter l'isolation électro-thermique d'éléments de mémoire à changement de phase, et des techniques associées. Dans un mode de réalisation, un appareil comprend une pluralité d'éléments de mémoire à changement de phase (PCM), des éléments PCM individuels de la pluralité d'éléments PCM comprenant une couche de matériau à changement de phase, une première couche d'électrode disposée sur la couche de matériau à changement de phase et en contact direct avec la couche de matériau à changement de phase, et une seconde couche d'électrode disposée sur la première couche d'électrode et en contact direct avec la première couche d'électrode. D'autres modes de réalisation peuvent être décrits et/ou revendiqués.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)