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1. (WO2016085581) Set of Stepped Surfaces Formation for a Multilevel Interconnect Structure
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/085581    International Application No.:    PCT/US2015/055374
Publication Date: 02.06.2016 International Filing Date: 13.10.2015
IPC:
H01L 27/115 (2006.01)
Applicants: SANDISK TECHNOLOGIES,LLC. [US/US]; Two Legacy Town Center 6900 North Dallas Parkway Plano, Texas 75024 (US)
Inventors: HIRONAGA, Nobuo; (US).
SHIMABUKURO, Seiji; (US).
IUCHI, Hiroaki; (US).
SANO, Michiaki; (US).
TAKEGUCHI, Naoki; (US)
Agent: RADOMSKY, Leon; (US)
Priority Data:
14/554,512 26.11.2014 US
14/554,685 26.11.2014 US
Title (EN) Set of Stepped Surfaces Formation for a Multilevel Interconnect Structure
(FR) FORMATION D'UN ENSEMBLE DE SURFACES ÉTAGÉES POUR STRUCTURE D'INTERCONNEXION MULTI-NIVEAUX
Abstract: front page image
(EN)A trench can be formed through a stack of alternating plurality of first material layers and second material layers. A dielectric material liner and a trench fill material portion can be formed in the trench. The dielectric material liner and portions of first material layer can be simultaneously etched to form laterally-extending cavities having level-dependent lateral extents. A set of stepped surfaces can be formed by removing unmasked portions of the second material layers. Alternately, an alternating sequence of processing steps including vertical etch processes and lateral recess processes can be employed to laterally recess second material layers and to form laterally-extending cavities having level-dependent lateral extents. Lateral cavities can be simultaneously formed in multiple levels such that levels having laterally-extending cavities of a same lateral extent are offset across multiple integrated cavities.
(FR)L'invention vise notamment à former une tranchée à travers une pile d'une pluralité alternée de couches d'un premier matériau et de couches d'un deuxième matériau. Un revêtement en matériau diélectrique et une partie de matériau de comblement de tranchée peuvent être formés dans la tranchée. Le revêtement en matériau diélectrique et des parties de couche de premier matériau peuvent être attaqués simultanément pour former des cavités s'étendant latéralement dont les étendues latérales dépendent du niveau. Un ensemble de surfaces étagées peut être formé en éliminant des parties démasquées des couches de deuxième matériau. En variante, une suite alternée d'étapes de traitement comprenant des processus d'attaque verticale et des processus d'évidement latéral peut être employée pour évider latéralement des couches de deuxième matériau et pour former des cavités s'étendant latéralement dont les étendues latérales dépendent du niveau. Des cavités latérales peuvent être formées simultanément dans des niveaux multiples de telle façon que des niveaux dotés de cavités s'étendant latéralement d'une même étendue latérale soient décalés à travers des cavités intégrées multiples.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)