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1. (WO2016085572) MEMORY DEVICE CONTAINING STRESS-TUNABLE CONTROL GATE ELECTRODES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/085572    International Application No.:    PCT/US2015/053829
Publication Date: 02.06.2016 International Filing Date: 02.10.2015
IPC:
H01L 27/115 (2006.01)
Applicants: SANDISK TECHNOLOGIES, LLC [US/US]; Two Legacy Town Center 6900 North Dallas Parkway Plano, Texas 75024 (US)
Inventors: SHARANGPANI, Rahul; (US).
MAKALA, Raghuveer S.; (US).
MATAMIS, George; (US)
Agent: RADOMSKY, Leon; (US)
Priority Data:
14/553,149 25.11.2014 US
Title (EN) MEMORY DEVICE CONTAINING STRESS-TUNABLE CONTROL GATE ELECTRODES
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE CONTENANT DES ÉLECTRODES DE GRILLE DE COMMANDE ACCORDABLES SOUS CONTRAINTE
Abstract: front page image
(EN)A memory film and a semiconductor channel are formed within each memory opening that extends through a stack including an alternating plurality of insulator layers and sacrificial material layers. After formation of backside recesses through removal of the sacrificial material layers selective to the insulator layers, electrically conductive layers are formed in the backside recesses. Each electrically conductive layer includes a combination of a tensile- stress-generating metallic material and a compressive-stress-generating metallic material. The tensile-stress-generating metallic material may be ruthenium and the compressive-stress- generating metallic material may be tungsten. An anneal may be performed to provide an alloy of the compressive-stress-generating metallic material and the tensile-stress-generating metallic material.
(FR)L'invention concerne un film de mémoire et un canal à semi-conducteur formés à l'intérieur de chaque ouverture de mémoire qui s'étend à travers un empilement comprenant une pluralité alternée de couches isolantes et de couches de matériau sacrificiel. Après la formation d'évidements de côté arrière au moyen du retrait des couches de matériau sacrificiel de façon sélective pour les couches isolantes, des couches électroconductrices sont formées dans les évidements de côté arrière. Chaque couche électroconductrice comprend une combinaison d'un matériau métallique de génération de contrainte de traction et d'un matériau métallique de génération de contrainte de compression. Le matériau métallique de génération de contrainte de traction peut être du ruthénium et le matériau métallique de génération de contrainte de compression peut être du tungstène. Un recuit peut être effectué pour produire un alliage du matériau métallique de génération de contrainte de traction et du matériau métallique de génération de contrainte de compression.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)