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1. (WO2016085569) METAL WORD LINES FOR THREE DIMENSIONAL MEMORY DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/085569    International Application No.:    PCT/US2015/053179
Publication Date: 02.06.2016 International Filing Date: 30.09.2015
IPC:
H01L 27/115 (2006.01)
Applicants: SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US/US]; Two Legacy Town Center 6900 North Dallas Parkway Plano, Texas 75024 (US)
Inventors: SHARANGPANI, Rahul; (US).
MAKALA, Raghuveer S.; (US).
KANAKAMEDALA, Senaka Krishna; (US).
KOKA, Sateesh; (US).
LEE, Yao-Sheng; (US).
MATAMIS, George; (US)
Agent: RADOMSKY, Leon; (US)
Priority Data:
14/553,207 25.11.2014 US
Title (EN) METAL WORD LINES FOR THREE DIMENSIONAL MEMORY DEVICES
(FR) LIGNES DE MOTS MÉTALLIQUES POUR DISPOSITIFS DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELS
Abstract: front page image
(EN)A method of making a monolithic three dimensional NAND string including forming a stack of alternating layers of insulating first material and sacrificial second material different from the first material over a major surface of the substrate, forming a front side opening in the stack, forming at least one charge storage region in the front side opening and forming a tunnel dielectric layer over the at least one charge storage region in front side opening. The method also includes forming a semiconductor channel over the tunnel dielectric layer in the front side opening, forming a back side opening in the stack and selectively removing at least portions of the second material layers to form back side recesses between adjacent first material layers. The method also includes forming electrically conductive clam shaped nucleation liner regions in the back side recesses and selectively forming ruthenium control gate electrodes through the back side opening in the respective electrically conductive clam shaped nucleation liner regions.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une chaîne NON-ET tridimensionnelle monolithique, comprenant les étapes consistant à former une pile de couches alternées d'un premier matériau isolant et d'un deuxième matériau sacrificiel différent du premier matériau sur une surface principale d'un substrat, former une ouverture de face avant dans la pile, former au moins une région de stockage de charges dans l'ouverture de face avant et former une couche diélectrique de tunnel sur la ou les régions de stockage de charges dans l'ouverture de face avant. Le procédé comprend également les étapes consistant à former un canal à semi-conducteur par-dessus la couche diélectrique de tunnel dans l'ouverture de face avant, à former une ouverture de face arrière dans la pile et à éliminer sélectivement au moins des parties des couches de deuxième matériau pour former des évidements de face arrière entre adjacent couches de premier matériau. Le procédé comprend également les étapes consistant à former des régions électriquement conductrices de revêtement de nucléation en forme de coquilles dans les évidements de face arrière et à former sélectivement des électrodes de grille de commande en ruthénium à travers l'ouverture de face arrière dans les régions respectives électriquement conductrices de revêtement de nucléation en forme de coquilles.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)