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1. (WO2016085505) ACTIVE CIRCULATOR WITH RF CHOKES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/085505    International Application No.:    PCT/US2014/067742
Publication Date: 02.06.2016 International Filing Date: 26.11.2014
Chapter 2 Demand Filed:    29.10.2015    
IPC:
H03H 11/36 (2006.01)
Applicants: HRL LABORATORIES, LLC [US/US]; 3011 Malibu Canyon Road Malibu, California 90265-4799 (US)
Inventors: KANG, Jongchan; (US).
SHARIFI, Hasan; (US).
PROPHET, Eric M.; (US)
Agent: GALLENSON, Mavis S.; (US)
Priority Data:
14/554,995 26.11.2014 US
Title (EN) ACTIVE CIRCULATOR WITH RF CHOKES
(FR) CIRCULATEUR ACTIF À ÉTRANGLEURS RF
Abstract: front page image
(EN)A multi-port active circulator where each of a plurality of FET transistors has (i) a gate connected to an associated port of the multi-port active circulator via a capacitor of an associated one of a plurality of first RF chokes, each of the first RF chokes being connected to a gate of an associated FET transistor of said plurality of transistors, the associated port of said associated FET transistor and to a power supply bias connection; (ii) a source connected to a common point; and (iii) a drain connected to the gate of the same FET transistor by a feedback circuit and connected to the gate of a neighboring FET transistor via a capacitor of one of a plurality of second RF chokes, each of which coupling gates and drains of neighboring FET transistors via capacitors thereof and being connected to another power supply bias connection.
(FR)L'invention concerne un circulateur actif multi-port dans lequel chaque transistor à effet de champ (TEC) d'une pluralité de transistors comprend : (i) une grille connectée à un port associé du circulateur actif multi-port par l'intermédiaire d'un condensateur d'un premier étrangleur RF associé parmi une pluralité de premiers étrangleurs RF, chaque premier étrangleur RF étant connecté à une grille d'un transistor TEC associé de ladite pluralité de transistors, au port associé dudit transistor TEC associé et à une connexion de polarisation d'alimentation; (ii) une source connectée à un point commun; et (iii) un drain connecté à la grille du même transistor TEC par un circuit de rétroaction et connecté à la grille d'un transistor TEC voisin par l'intermédiaire d'un condensateur d'un deuxième étrangleur RF parmi une pluralité de deuxièmes étrangleurs RF, chacun couplant les grilles et les drains de transistors à effet de champ voisins par l'intermédiaire de condensateurs et chacun étant connecté à une autre connexion de polarisation d'alimentation.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)