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1. (WO2016085297) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING CHIP AND LIGHT EMITTING DEVICE HAVING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/085297    International Application No.:    PCT/KR2015/012873
Publication Date: 02.06.2016 International Filing Date: 27.11.2015
IPC:
H01L 33/60 (2010.01)
Applicants: ILJIN LED CO., LTD. [KR/KR]; 163, Wonsi-ro, Danwon-gu Ansan-si Gyeonggi-do 15597 (KR)
Inventors: SONG, Jung-Sub; (KR)
Agent: DAE-A INTELLECTUAL PROPERTY CONSULTING; 3F, Hanyang Bldg., 123 Yeoksam-ro Gangnam-gu Seoul 06243 (KR)
Priority Data:
10-2014-0168840 28.11.2014 KR
Title (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING CHIP AND LIGHT EMITTING DEVICE HAVING THE SAME
(FR) PUCE ÉLECTROLUMINESCENTE DE SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE ET DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT LA COMPORTANT
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to a nitride semiconductor chip, more particularly to a nitride semiconductor light emitting chip and a light emitting device having the same, capable of maximizing reflectivity as well as improving heat dissipation performance by introducing a configuration that reflects scattered light in the vicinity of edge portions of a light emitting diode. The nitride semiconductor light emitting chip according to the present invention comprises a light emitting diode including a light emitting structure having a first conductive type nitride layer, an active layer, and a second conductive type nitride layer which are sequentially disposed on a substrate, and a first reflective layer disposed on the second conductive type nitride layer of the light emitting structure; a molding disposed to cover side surfaces of the light emitting diode; and a second reflective layer disposed on at least part of a lower surface of the molding.
(FR)La présente invention concerne une puce de semi-conducteur au nitrure, en particulier une puce électroluminescente de semi-conducteur au nitrure et un dispositif électroluminescent la comportant, pouvant maximiser la réflectivité ainsi qu'améliorer les performances de dissipation de chaleur par introduction d'une configuration qui réfléchit la lumière diffusée au voisinage de parties de bord d'une diode électroluminescente. La puce électroluminescente de semi-conducteur au nitrure selon la présente invention comprend une diode électroluminescente comprenant une structure électroluminescente qui comporte une couche de nitrure d'un premier type de conductivité, une couche active et une couche de nitrure d'un second type de conductivité qui sont disposées séquentiellement sur un substrat, et une première couche réfléchissante disposée sur la couche de nitrure du second type de conductivité de la structure électroluminescente ; un moulage disposé de façon à recouvrir des surfaces latérales de la diode électroluminescente ; et une seconde couche réfléchissante disposée sur au moins une partie d'une surface inférieure du moulage.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)