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1. (WO2016085086) QUANTUM DOT ELECTRONIC DEVICE AND QUANTUM DOT TRANSFER PRINTING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/085086    International Application No.:    PCT/KR2015/007618
Publication Date: 02.06.2016 International Filing Date: 22.07.2015
IPC:
H01L 33/04 (2010.01)
Applicants: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION [KR/KR]; 1, Gwanak-ro Gwanak-gu Seoul 151-919 (KR).
INSTITUTE FOR BASIC SCIENCE [KR/KR]; 70, Yuseong-daero 1689beon-gil Yuseong-gu Daejeon 305-811 (KR)
Inventors: KIM, Daehyeong; (KR).
HYEON, Taeghwan; (KR).
CHOI, Moonkee; (KR).
YANG, Jiwoong; (KR).
KANG, Kwanghun; (KR)
Agent: KANG, Moonho; (KR)
Priority Data:
10-2014-0169056 28.11.2014 KR
10-2014-0170841 02.12.2014 KR
Title (EN) QUANTUM DOT ELECTRONIC DEVICE AND QUANTUM DOT TRANSFER PRINTING METHOD
(FR) DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE À POINTS QUANTIQUES ET PROCÉDÉ D'IMPRESSION PAR TRANSFERT DE POINTS QUANTIQUES
(KO) 양자점 전자 장치 및 양자점 전사 인쇄 방법
Abstract: front page image
(EN)Provided are a quantum dot electronic device and a quantum dot transfer printing method. The quantum dot electronic device comprises: a first encapsulation layer; a first electrode disposed on top of the first encapsulation layer; a quantum dot pattern disposed on top of the first electrode; a second electrode disposed on top of the quantum dot pattern; and a second encapsulation layer disposed on top of the second electrode. The quantum dot pattern may be formed by an intaglio transfer printing method. The quantum dot transfer printing method comprises the steps of: forming a quantum dot layer on a donor substrate; picking up the quantum dot layer using a stamp; putting the quantum dot layer into contact with an intaglio substrate using the stamp; and separating the stamp from the intaglio substrate. By means of the quantum dot transfer printing method, an ultraminiature quantum dot pattern may be transferred at a high transfer rate. Accordingly, a highly integrated quantum dot electronic device exhibiting excellent performance and a high resolution ultra-thin film quantum dot light-emitting device may be realized.
(FR)L'invention concerne un dispositif électronique à points quantiques et un procédé d'impression par transfert de points quantiques. Le dispositif électronique à points quantiques comprend : une première couche d'encapsulation ; une première électrode disposée sur la partie supérieure de la première couche d'encapsulation ; un motif de points quantiques disposé sur la partie supérieure de la première électrode ; une seconde électrode disposée sur la partie supérieure du motif de points quantiques ; et une seconde couche d'encapsulation disposée sur la partie supérieure de la seconde électrode. Le motif de points quantiques peut être formé par un procédé d'impression par transfert en creux. Le procédé d'impression par transfert de points quantiques comprend les étapes consistant à : former une couche de points quantiques sur un substrat donneur ; prélever la couche de points quantiques à l'aide d'un poinçon ; mettre la couche de points quantiques en contact avec un substrat en creux au moyen du poinçon ; et séparer le poinçon du substrat en creux. Au moyen du procédé d'impression par transfert de points quantiques, un motif de points quantiques ultraminiature peut être transféré à une vitesse de transfert élevée. En conséquence, un dispositif électronique hautement intégré à points quantiques présentant d'excellentes performances et un dispositif électroluminescent à haute résolution, à couches ultra-minces et à points quantiques peuvent être réalisés.
(KO)양자점 전자 장치 및 양자점 전사 인쇄 방법이 제공된다. 상기 양자점 전자 장치는, 제1 인캡슐레이션층, 상기 제1 인캡슐레이션층 위에 배치되는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 배치되는 양자점 패턴, 상기 양자점 패턴 위에 배치되는 제2 전극, 및 상기 제2 전극 위에 배치되는 제2 인캡슐레이션층을 포함한다. 상기 양자점 패턴은 음각 전사 인쇄 방법에 형성될 수 있다. 상기 양자점 전사 인쇄 방법은, 도우너 기판에 양자점층을 형성하는 단계, 상기 양자점층을 스탬프를 이용하여 픽업하는 단계, 상기 스탬프를 이용하여 상기 양자점층을 음각 기판에 접촉시키는 단계, 및 상기 스탬프를 상기 음각 기판으로부터 분리시키는 단계를 포함한다. 상기 양자점 전사 인쇄 방법에 의해 초소형의 양자점 패턴이 높은 전사율로 전사될 수 있다. 이에 의해, 성능이 우수한 고집적 양자점 전자 장치와 고해상도의 초박막 양자점 발광 장치가 구현될 수 있다.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Korean (KO)
Filing Language: Korean (KO)