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1. (WO2016085029) ROLL-TO-ROLL GRAVURE PRINTING BASED THIN FILM TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD, THIN FILM TRANSISTOR BACKPLANE MANUFACTURING METHOD, AND BACKPLANE PRESSURE SENSOR AND SMART FLOOR MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/085029    International Application No.:    PCT/KR2014/012910
Publication Date: 02.06.2016 International Filing Date: 26.12.2014
IPC:
H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: INDUSTRY-ACADEMY COOPERATION CORPS OF SUNCHON NATIONAL UNIVERSITY [KR/KR]; 255, Jungang-ro Suncheon-si Jeollanam-do 540-950 (KR)
Inventors: CHO, Gyou-jin; (KR).
YEOM, Chi-seon; (KR).
LEE, Woo-kyu; (KR).
NOH, Jin-soo; (KR).
KOO, Hyun-mo; (KR).
SUN, Jun-feng; (KR)
Agent: IAM PATENT FIRM; 403, 224, Bongeunsa-ro,, Gangnam-gu Seoul 135-913 (KR)
Priority Data:
10-2014-0165085 25.11.2014 KR
Title (EN) ROLL-TO-ROLL GRAVURE PRINTING BASED THIN FILM TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD, THIN FILM TRANSISTOR BACKPLANE MANUFACTURING METHOD, AND BACKPLANE PRESSURE SENSOR AND SMART FLOOR MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES SUR LA BASE D'UNE IMPRESSION EN CREUX ROULEAU À ROULEAU, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FOND DE PANIER DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES, ET CAPTEUR DE PRESSION DE FOND DE PANIER ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PLANCHER INTELLIGENT
(KO) 롤대롤 그라비아 인쇄기반 박막트랜지스터 제조방법, 박막트랜지스터 백플랜 제조방법, 백플랜 압력센서 및 스마트 장판의 제조방법
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to manufacturing a 100% printed thin film transistor backplane that can be mass-produced at a low cost using gravure printing (R2R and R2P gravure printing) equipment and a sensor array. In the manufacturing of a TFT backplane using gravure printing equipment, when roll-to-roll type equipment is used, the backplane is manufactured by printing source and drain electrodes, an insulation layer, an active layer, and a gate electrode on a flexible substrate such that they are overlaid with each other, and when roll-to-plate type equipment is used, the backplane is manufactured by coating an active layer on a flexible substrate and then printing source and drain electrodes, an insulation layer, and a gate electrode thereon such that they are overlaid with each other. According to the present invention, by applying a gravure printing process that has more advantages than an existing lithography, etching, or a high-temperature process, it is possible to perform a low-temperature atmospheric process, simplify large-area printing and a manufacturing method thereof, and achieve high productivity and low-cost production.
(FR)La présente invention concerne la fabrication d'un fond de panier de transistor à couches minces imprimé à 100 % qui peut être produit en masse à un faible coût à l'aide au moyen d'un équipement d'impression en creux (impression en creux R2R et R2P) et d'un ensemble de capteurs. Au cours de la fabrication d'un fond de panier d'un transistor à couches minces utilisant un équipement d'impression en creux, lorsqu'un équipement de type rouleau à rouleau est utilisé, le fond de panier est fabriqué par impression des électrodes de source et de drain, d'une couche d'isolation, d'une couche active et d'une électrode de grille sur un substrat flexible, de telle sorte qu'ils se recouvrent mutuellement, et lorsqu'un équipement de type rouleau à plaque est utilisé, le fond de panier est fabriqué par dépôt d'une couche active sur un substrat flexible puis par impression des électrodes de source et de drain, d'une couche d'isolation, et d'une électrode de grille sur celle-ci de telle sorte qu'ils se recouvrent mutuellement. Selon la présente invention, l'application d'un procédé d'impression en creux qui présente plusieurs avantages par rapport aux procédés existants de lithographie, de gravure, ou à haute température permet de réaliser un traitement atmosphérique à basse température, de simplifier l'impression de grande surface et un procédé de fabrication de celui-ci, et d'obtenir une productivité élevée et à faible coût de fabrication.
(KO)본 발명은 그라비아 인쇄장비(R2R,R2P gravure printing)를 이용하여 저가 및 대량생산이 가능한 100% 인쇄 박막트랜지스터 백플랜 제조 및 센서 배열에 관한 것이다. 본 발명은 그라비아 프린팅 장비를 이용하여 제조하는데, 롤투롤 방식을 이용할 경우 유연한 기판 위에 소스 및 드레인 전극, 절연층, 활성층, 게이트 전극을 각각 중첩 인쇄하여 백플랜을 제조하고, 롤투피 방식을 이용할 경우 유연한 기판 위에 활성층 코팅 후 소스 및 드레인 전극, 절연층, 게이트 전극을 각각 중첩 인쇄하여 백플랜을 제조한다. 본 발명에 의하면 기존의 리소그라피나 에칭 및 고온공정에 비해 많은 장점을 가진 그라비아 인쇄공정을 적용함으로써 저온 및 상압 공정이 가능하며, 대면적 인쇄 및 제조방법이 간단하고, 높은 생산성과 저비용 생산이 가능하다.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Korean (KO)
Filing Language: Korean (KO)