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1. (WO2016084554) SENSOR APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/084554    International Application No.:    PCT/JP2015/080862
Publication Date: 02.06.2016 International Filing Date: 30.10.2015
G01N 29/02 (2006.01), G01N 29/24 (2006.01)
Applicants: KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP)
Inventors: KOBAYASHI, Kyohei; (JP)
Agent: SAIKYO, Keiichiro; (JP)
Priority Data:
2014-242637 29.11.2014 JP
(JA) センサ装置
Abstract: front page image
(EN)The present invention pertains to a sensor apparatus with which it is possible to detect with high sensitivity a material to be detected in an analyte. This sensor apparatus 100 is provided with: an element substrate 10a; a reaction unit 13 located on the upper surface of the element substrate 10a, the reaction unit 13 having an immobilization film 13a, and being used to detect an analyte; a detection unit 10b having first IDT electrodes 11 for generating an elastic wave which is propagated towards the reaction unit 13, and second IDT electrodes 12 for receiving an elastic wave which has passed through the reaction unit 13; and a protective film 28 covering the first IDT electrodes 11 and the second IDT electrodes 12. The element substrate 10a has third areas A3 lying between first areas A1 in which the first IDT electrodes 11 and the second IDT electrodes 12 are located, and a second area A2 where the reaction unit is located, and at least portions of the third areas A3 are lower than the first areas A1 and the second area A2.
(FR)La présente invention concerne un appareil de capteur avec lequel il est possible de détecter, avec une sensibilité élevée, une matière à détecter dans un analyte. Cet appareil de capteur 100 comprend : un substrat d'élément 10a; une unité de réaction 13 située sur la surface supérieure du substrat d'élément 10a, l'unité de réaction 13 ayant un film d'immobilisation 13a, et étant utilisée pour détecter un analyte; une unité de détection 10b ayant des premières électrodes IDT 11 pour générer une onde élastique qui se propage vers l'unité de réaction 13, et des secondes électrodes IDT 12 pour recevoir une onde élastique qui est passée à travers l'unité de réaction 13; et un film protecteur 28 recouvrant les premières électrodes IDT 11 et les secondes électrodes IDT 12. Le substrat d'élément 10a comporte des troisièmes zones A3 se trouvant entre des premières zones A1, dans lesquelles se trouvent les premières électrodes IDT 11 et les secondes électrodes IDT 12, et une deuxième zone A2 dans laquelle se trouve l'unité de réaction, et au moins des parties des troisièmes zones A3 sont plus basses que les premières zones A1 et la deuxième zone A2.
(JA) 本発明は、検体中の被検出物を感度良く検出できるセンサ装置に関する。素子基板10aと、素子基板10aの上面に位置している、固定化膜13aを有し検体の検出を行う反応部13、反応部13に向かって伝搬する弾性波を発生させる第1IDT電極11、および反応部13を通過した弾性波を受信する第2IDT電極12、を有する検出部10bと、第1IDT電極11および第2IDT電極12を覆っている保護膜28と、を備え、素子基板10aは、第1IDT電極11および第2IDT電極12が位置している第1領域A1と反応部が位置している第2領域A2との間の第3領域A3を有し、第3領域A3の少なくとも一部は第1領域A1および第2領域A2よりも低い、センサ装置100とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)