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1. (WO2016084241) HALF-BRIDGE POWER SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/084241    International Application No.:    PCT/JP2014/081609
Publication Date: 02.06.2016 International Filing Date: 28.11.2014
Chapter 2 Demand Filed:    02.07.2015    
IPC:
H01L 25/07 (2006.01), H01L 23/48 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01), H02M 3/155 (2006.01), H02M 7/04 (2006.01), H02M 7/48 (2007.01)
Applicants: NISSAN MOTOR CO., LTD. [JP/JP]; 2, Takara-cho, Kanagawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2210023 (JP)
Inventors: TANIMOTO, Satoshi; (JP)
Agent: MIYOSHI, Hidekazu; (JP)
Priority Data:
Title (EN) HALF-BRIDGE POWER SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) MODULE À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE EN DEMI-PONT ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
(JA) ハーフブリッジパワー半導体モジュール及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)This half-bridge power semiconductor module 1 comprises an insulating wiring board 15 that is provided with a positive electrode wiring conductor 12H, a bridge wiring conductor 12B and a negative electrode wiring conductor 21L, said wiring conductors being arranged on or above an insulating board 16 so as to be electrically insulated from each other. Backside electrodes of a high-side power semiconductor device 13HT and a low-side power semiconductor device 13LT are bonded on the positive electrode wiring conductor 12H and the bridge wiring conductor 12B. Frontside electrodes of the high-side power semiconductor device 13HT and the low-side power semiconductor device 13LT are connected to the bridge wiring conductor 12B and the negative electrode wiring conductor 21L via a plurality of bonding wires 18BT and a plurality of bonding wires 18LT.
(FR)La présente invention concerne un module 1 à semi-conducteur de puissance en demi-pont comportant une carte isolante 15 de câblage qui comporte un conducteur 12H de câblage d'électrode positive, un conducteur 12B de câblage de pont et un conducteur 21L de câblage d'électrode négative, lesdits conducteurs de câblage étant disposés sur ou au-dessus d'une carte isolante 16 de façon à être isolés électriquement les uns des autres. Les électrodes de face arrière d'un dispositif 13HT à semi-conducteur de puissance côté haut et un dispositif 13LT à semi-conducteur de puissance côté bas sont soudées sur le conducteur 12H de câblage d'électrode positive et le conducteur 12B de câblage de pont. Les électrodes de face avant du dispositif 13HT à semi-conducteur de puissance côté haut et du dispositif 13LT à semi-conducteur de puissance côté bas sont reliées au conducteur 12B de câblage de pont et au conducteur 21L de câblage d'électrode négative via une pluralité de fils 18BT de liaison et une pluralité de fils 18LT de liaison.
(JA) ハーフブリッジパワー半導体モジュール1は、1枚の絶縁板16の上或いはその上方に互いに電気的に絶縁して配置された、正極配線導体12H、ブリッジ配線導体12B、及び負極配線導体21Lと、を備えた絶縁配線基板15を有する。正極配線導体12H及びブリッジ配線導体12Bの上に、ハイサイドパワー半導体装置13HT及びローサイドパワー半導体装置13LTの裏面電極が接合されている。ハイサイドパワー半導体装置13HT及びローサイドパワー半導体装置13LTの表面電極は、複数のボンディングワイヤー18BT及び複数のボンディングワイヤー18LTを介して、ブリッジ配線導体12B及び負極配線導体21Lに接続されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)