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1. (WO2016084202) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/084202    International Application No.:    PCT/JP2014/081432
Publication Date: 02.06.2016 International Filing Date: 27.11.2014
IPC:
H01L 21/82 (2006.01)
Applicants: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION [JP/JP]; 2-24, Toyosu 3-chome, Koutou-ku, Tokyo 1350061 (JP)
Inventors: KODAMA, Eisuke; (JP)
Agent: TSUTSUI, Yamato; (JP)
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)As a means for preventing leakage of a fuse element that has been cut by laser trimming due to conductive residues and the like, when a fuse element is formed on an element separation region within a groove on the primary surface of an epitaxial substrate, an insulation film having high thermal conductivity and relatively low adhesiveness is formed between the element separation region and the fuse element. When laser trimming is performed to cut the fuse element, a portion of the fuse element and the insulation film under that portion of the fuse element are removed.
(FR)Cette invention vise à empêcher une fuite d'un élément fusible qui a été découpé par usinage laser sous l'effet de résidus de conducteur et analogues, lorsqu'un élément fusible est formé sur une région de séparation d'élément à l'intérieur d'une rainure sur la surface principale d'un substrat d'épitaxie. À cette fin, un film isolant présentant une haute conductivité thermique et une adhésivité relativement faible est formé entre la région de séparation d'élément et l'élément fusible. Au cours de l'exécution de l'usinage laser pour découper l'élément fusible, une partie de l'élément fusible et le film isolant disposé en dessous de cette partie de l'élément fusible sont éliminés.
(JA) レーザートリミングにより切断したヒューズ素子が、導電性のある残留物などによりリークすることを防ぐ。そのための手段として、エピタキシャル基板の主面上の溝内の素子分離領域上にヒューズ素子を形成する場合において、素子分離領域とヒューズ素子との間に、熱伝導率が高く、比較的密着性が低い絶縁膜を形成する。レーザートリミングを行ってヒューズ素子を切断する際には、ヒューズ素子の一部と、ヒューズ素子の当該一部の下の絶縁膜とを除去する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)