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1. (WO2016084147) WAFER INSPECTION METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/084147    International Application No.:    PCT/JP2014/081178
Publication Date: 02.06.2016 International Filing Date: 26.11.2014
IPC:
H01L 21/66 (2006.01)
Applicants: TOKYO SEIMITSU CO., LTD. [JP/JP]; 2968-2, Ishikawa-machi, Hachioji-shi, Tokyo 1920032 (JP)
Inventors: OZAWA Yuichi; (JP).
IGUCHI Yasuhito; (JP).
YOSHIDA Tetsuo; (JP).
KOSHIO Junzo; (JP)
Agent: HAYASHI Takayoshi; (JP)
Priority Data:
Title (EN) WAFER INSPECTION METHOD
(FR) PROCÉDÉ D'INSPECTION DE TRANCHE
(JA) ウェーハの検査方法
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To provide a wafer inspection method whereby inspection accuracy and operation efficiency can be improved. [Solution] In this wafer inspection method for performing electrical inspection by bringing, at one time, a plurality of probes into contact with a plurality of pads in chips on a wafer, said probes being provided in a probe card, the inspection is performed through: a chuck step S1 for heating the wafer to an inspection temperature by holding the wafer by means of a wafer chuck; a first position recognition step S2 for recognizing all the positions of the pads of the chips in the wafer; a second position recognition step S3 for re-recognizing, before performing the electrical inspection, the positions of the pads for the purpose of recognizing the positional shifts of the pads due to thermal expansion generated when the wafer chuck is heated; and a correction step S4 for correcting contact positions with respect to the probes, said contact positions being corrected on the basis of pad positions, which have been re-recognized in the second position recognition step S3 on the basis of the pad positions recognized in the first position recognition step S2, and which have been updated.
(FR)Le problème décrit par l'invention est d'élaborer un procédé d'inspection de tranche par lequel la précision d'inspection et l'efficacité de fonctionnement puissent être améliorées. La solution de l'invention porte sur un procédé d'inspection de tranche permettant d'effectuer une inspection électrique par mise en contact, une à la fois, d'une pluralité de sondes avec une pluralité de plages de connexion dans des puces sur une tranche, lesdites sondes étant disposées dans une carte sonde, dans lequel procédé l'inspection est effectuée par : une étape de mandrinage (S1) consistant à chauffer la tranche à une température d'inspection en maintenant la tranche au moyen d'un mandrin de tranche ; une première étape de reconnaissance de positions (S2) consistant à reconnaître toutes les positions des plages de connexion des puces dans la tranche ; une seconde étape de reconnaissance de positions (S3) consistant à reconnaître de nouveau, avant d'effectuer l'inspection électrique, les positions des plages de connexion dans le but de reconnaître les décalages de position des plages de connexion dus à la dilatation thermique générée lorsque le mandrin de tranche est chauffé ; et une étape de correction (S4) consistant à corriger des positions de contact relativement aux sondes, lesdites positions de contact étant corrigées sur la base de positions de plage de connexion qui ont été de nouveau reconnues à la seconde étape de reconnaissance de positions (S3) sur la base des positions de plage de connexion reconnues à la première étape de reconnaissance de positions (S2), et qui ont été mises à jour.
(JA) 【課題】検査精度の向上と作業効率の向上を図ることができるウェーハの検査方法を提供する。 【解決手段】ウェーハ上のチップに存在する複数のパッドに、プローブカードに設けられた複数のプローブを同時に接触させて電気的検査を行うウェーハの検査方法において、ウェーハをウェーハチャックにより保持して検査温度まで加熱するチャックステップS1と、ウェーハ内に存在する複数チップのパッドの全ての位置を認識する第1の位置認識ステップS2と、電気的検査を行う前に、ウェーハチャックの加熱による熱膨張から生じるパッドの位置ズレを認識するためにパッドの位置を再び認識する第2の位置認識ステップS3と、第1の位置認識ステップS2で認識されたパッド位置を基に第2の位置認識ステップS3で再認識し各々更新されたパッドの位置に基づいてプローブとの接触位置を補正する補正ステップS4を経て検査を行う。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)